Term

3Dトレンチ・キャパシタ

別名: 3D Trench Capacitor

Overview

シリコン基板の表面に深い溝(トレンチ)をエッチングで形成し、その内部に電極と誘電体層を積層する3次元構造のコンデンサである。平面的な構造に比べて、限られたチップ面積(フットプリント)内で極めて大きな表面積を確保できるため、静電容量を大幅に増大させることが可能である。主にDRAMのメモリセルにおける電荷蓄積用として広く採用されている技術であり、近年ではマイクロプロセッサ上に直接エネルギー貯蔵機能を統合するためのオンチップ・マイクロキャパシタへの応用が期待されている。

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