酸化ハフニウム

化学式HfO2で表される無機化合物。従来は半導体デバイスのゲート絶縁膜（High-k材料）として広く利用されてきたが、2011年に特定の結晶構造において強誘電性を示すことが発見された。従来の強誘電体材料（PZTなど）と比較して、既存のCMOS製造プロセスとの親和性が極めて高く、10nm以下の微細化にも対応できることから、次世代の不揮発性メモリ（FeRAM）を実現する鍵となる材料として期待されている。