原子層堆積

気相の化学反応を利用して、原子層1層単位で薄膜を成長させる成膜技術である。反応ガスを交互に供給することで自己制限的な表面反応を引き起こし、極めて高い精度で膜厚を制御できる。この手法の最大の特徴は、アスペクト比の高い深い溝や複雑な3次元構造に対しても、均一で連続的な薄膜を形成できる「段差被覆性（コンフォーマリティ）」に優れている点である。現代の先端半導体製造において、ゲート絶縁膜やキャパシタの形成に不可欠なプロセスとなっている。