次世代メモリ規格「DDR6」開発が本格始動:Samsung、SK hynix、Micronが描く2028年の商用化ロードマップ
Samsung、SK hynix、Micronの主要メモリメーカー3社が、AIデータセンターの需要に応える次世代メモリ規格DDR6の開発を本格化させた。DDR6は最大17.6 Gbpsのデータ転送速度を実現し、2028年から2029年の商用化を目指すが、超高速化に伴う信号整合性や電力効率の課題解決、CAMM2/SOCAMM2などの新規格導入が鍵となる。
別名: LPDDR6, JESD209-6
LPDDR5Xの後継となる次世代の低消費電力メモリ規格。データ処理速度の向上と消費電力の低減を両立しており、スマートフォンやPC上での「オンデバイスAI」の実行において、リアルタイム性とバッテリー駆動時間を改善する重要なコンポーネント。
Samsung、SK hynix、Micronの主要メモリメーカー3社が、AIデータセンターの需要に応える次世代メモリ規格DDR6の開発を本格化させた。DDR6は最大17.6 Gbpsのデータ転送速度を実現し、2028年から2029年の商用化を目指すが、超高速化に伴う信号整合性や電力効率の課題解決、CAMM2/SOCAMM2などの新規格導入が鍵となる。
JEDECが公開した次世代規格「LPDDR6」のロードマップは、モバイル向けだったLPDDRがAIデータセンターやハイパフォーマンス・コンピューティングへと主戦場を移すことを示している。この新規格は、x6サブチャネル構成による最大512GBの超高密度実装、着脱可能なSOCAMM2モジュールの標準化、そしてメモリ内部で演算処理を行うProcessing-in-Memory(PIM)の導入により、AI時代の「メモリの壁」を打破する。
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