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SK hynix、世界初の321層NANDフラッシュメモリの量産開始 – 半導体業界で新たな技術革新
SK hynixは、世界初となる321層4D NANDフラッシュメモリの量産を開始したことを発表した。1テラビットの記憶容量を持つこの新製品は、独自の「3プラグ」製造プロセスを採用し、2025年上半期から顧客への出荷を開始する予定である。 革新的な3プラグ技術で3... -
MSIがAM5マザーボード向けにDDR5レイテンシ低減機能「Latency Killer」を実装
MSIは、AM5マザーボード向けに新たなパフォーマンス最適化機能「Latency Killer」を導入した。この機能は、特にAGESA 1.2.0.2aアップデート以降に報告されているDDR5メモリのレイテンシ低下に対応するもので、最大8nsのレイテンシ改善を実現するという。 ... -
中国メモリメーカー、DDR4市場で韓国勢の半額以下の価格攻勢－国策支援で採算度外視の展開
中国の主要メモリメーカーであるChangxin Memory（CXMT）とFujian Jinhua（福建晉華）が、DDR4メモリ市場で大規模な安値攻勢を展開している。韓国メーカー比で50%以上安い価格設定に加え、中古チップをも下回る価格で市場に供給を行っており、グローバルな... -
SK hynix、世界初の16-Hi HBM3Eメモリを発表 – 48GB大容量スタックで AI性能を最大32%向上
SK hynixは、世界初となる16層積層の「16-Hi HBM3E」メモリを開発したことを発表した。現行の12層製品から4層増やすことで、1スタックあたりの容量を36GBから48GBへと33%増加させることに成功している。同社CEOのKwak Noh-Jung氏が、ソウルで開催されたSK ... -
NVIDIA、AI性能向上へ次世代メモリHBM4の供給前倒しをSK hynixに要請 – 競争激化するAIチップ市場
NVIDIAのJensen Huang CEOが、韓国SK hynixに対し、次世代高帯域メモリ「HBM4」の供給開始時期を6ヶ月前倒しするよう要請したことが明らかになった。SK GroupのChey Tae-won会長が11月4日、ソウルで開催されたSK AI SUMMIT 2024で明らかにした。この要請は... -
Intel、コスト高を理由にオンチップの統合メモリは「Lunar Lake」の一回限りで終了
Intelは第3四半期決算説明会で、次世代モバイルプロセッサ「Lunar Lake」に導入する統合メモリ設計について、収益性への影響を理由に今後のCPUでは採用しない方針を明らかにした。この決定は、当初ニッチ製品として想定していたLunar Lakeが、AI PCブーム... -
Samsungが次世代メモリ「セレクターオンリーメモリ」の開発を加速、RAM並みの高速性とSSDの大容量を両立
Samsungが、コンピューターの処理性能を大きく向上させる可能性を秘めた革新的なメモリ技術の開発を加速している。「セレクターオンリーメモリ（SOM）」と呼ばれるこの新技術は、現在のDRAMとSSDの長所を組み合わせ、高速なデータアクセスと大容量ストレー... -
Samsung、HBM開発で苦戦の背景 – 内部告発で浮き彫りになった組織文化の問題
韓国を代表する電子機器メーカーであるSamsung Electronicsが、半導体事業において苦戦を強いられている。特に、高帯域幅メモリ（HBM）の開発で他社に後れを取っている現状が、業界内外で注目を集めているが、この状況について、Samsung Electronicsの半導... -
Samsungが業界初の24Gb GDDR7メモリを発表：高速・大容量・省電力を同時実現
Samsungが世界初の24ギガビット（Gb）GDDR7 DRAMを発表した。今後発売されるNVIDIAやAMDといったメーカーのGPUに対応するこのメモリは、従来製品と比べて大きな性能向上を果たし、ゲームやAIコンピューティング分野で今後の採用が期待されている。 Samsung... -
ZeroPointの圧縮技術がAIデータセンターコストを25%削減できる可能性
AIの進化と共に、その計算需要は天文学的な数字へと膨れ上がっている。この需要に応えるべく、データセンターは高性能GPUの導入を進めているが、そのコストと電力消費は企業にとって大きな負担となっている。しかし、スウェーデンのスタートアップ企業Zero...