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テクノロジー
SK hynix、2026年登場のHBM4Eではコンピューティングとキャッシュ、ネットワーク機能を統合へ
SK hynixはHBM(高帯域幅メモリ)市場で現在トップのシェアを誇るが、次世代のHBMでは演算および通信機能などを追加し、競合企業との差別化を図るべく開発を進めていることが明らかになった。 HBMへのシステム半導体の統合は全体のパフォーマンスと効率の... -
テクノロジー
SK hynix、HBM4及び次世代パッケージング技術開発でTSMCと提携
SK hynixは、次世代のAI向け高帯域幅メモリー(HBM)の生産や、先進的なパッケージング技術によるロジックとHBMの統合に向け、TSMCとパートナーシップ協定を結んだことを明らかにした。SK hynixはこれにより、2026年から量産が予定されているHBMファミリー... -
テクノロジー
台湾地震はDRAM価格にほとんど影響を与えないと予想される
2024年4月3日に台湾で発生したマグニチュード7.2の地震は、この最先端半導体の製造拠点が数多く集まる地であるという特殊性によって、世界の半導体生産にどのような影響があるのかという懸念を巻き起こした。 元々が日本と同じ環太平洋火山帯に属する国と... -
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SK hynix、米インディアナ州に40億ドルを投資し世界最大の先端半導体パッケージング工場を建設へ
以前、韓国のSK hynixが世界最大規模のメモリ製造施設を米国に建造する計画でいることがThe Wall Street Journal紙によって報じられた。これは内部関係者の話としてリークされたもので、SK hynixは公式な回答は行っていなかった。あれから数週間、ついにSK... -
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SK hynix、「世界最大のメガファブ複合施設」に総額13兆円を投資、2027年に最初のファブが稼働へ
SK hynixは、2025年3月に龍仁半導体クラスターと呼ばれるメガファブ複合施設の建設を開始し、2046年に完成する予定だ。 2046年の全稼働を目指す世界一のメガファブ複合施設 韓国通商産業エネルギー省の声明によると、「ファブ1の約35%はこれまでに完成し...
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