トランジスタ– tag –

マサチューセッツ工科大学（MIT）の研究チームが、電子機器の革新的な進化をもたらす可能性を秘めた画期的な3Dトランジスタの開発に成功した。このブレークスルーは、量子力学的効果を巧みに活用し、従来のシリコントランジスタが直面していた物理的限界を...

MITの研究チームは、次世代の電子機器開発においてを飛躍的に進める可能性を持つ、強誘電体材料を用いた新しいトランジスタ（強誘電体電界効果トランジスタ：FeFET）を開発した事を発表した。この画期的な技術は、超高速スイッチング、驚異的な耐久性、そ...

米国政府による中国の半導体規制は厳しくなることはあっても緩まることはないようだ。Bloombergが報じている所では、米Biden政権は、最先端半導体チップ製造に用いられるGAA（Gate All Around）トランジスタ技術や、AI処理で重要になる高帯域幅メモリ（HBM...

コンピューターチップの基本的な構成要素の一つ、「トランジスタ」に10年に一度の大きな技術的革新が起きようとしている。この技術は、今後の半導体業界の勢力図を塗り替える可能性があるほど大きな変化をもたらすと言われている。 その技術は、トランジス...