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TSMCがASMLのHigh NA EUV装置を年内導入へ
世界最大のファウンドリーであるTSMCが2024年末までに、オランダASML社の次世代リソグラフィ装置「High NA EUV」を導入することが明らかになった。Nikkei Asiaの報道によると、1台あたり3.5億ドル（約520億円）という巨額投資となる同装置は、TSMCの新竹に... -
米国、8億ドル超でEUV研究開発拠点をNYに設立へ―半導体覇権争いで攻勢強化
米Binden政権が半導体技術開発の新たな一手を打ち出した。ニューヨーク州オルバニーに8.25億ドル規模の次世代半導体研究施設を設立する計画を発表した。最先端プロセッサの製造に不可欠なEUV（極端紫外線）リソグラフィ技術の研究開発拠点として、米国の半... -
Corning、次世代EUVリソグラフィ対応のExtreme ULEガラスを発表
人工知能（AI）の急速な発展に伴い、より高性能で効率的なチップの需要が急増している。この需要に応えるべく、材料科学の分野での新たな動きとして、スマートフォンディスプレイの強化ガラスで有名なCorningが、次世代のチップ製造を可能にする画期的な新... -
Samsung、年内に初のHigh-NA EUVリソグラフィ装置を取得、2025年後半に商業導入を予定
Samsungが次世代半導体製造技術の導入を加速させているようだ。新たな報道では、同社は年内にも次世代のHigh-NA EUVリソグラフィ装置を導入し、2025年後半の商用化を目指しているという。この動きは、Intel、TSMCとの熾烈な半導体技術競争において、Samsun... -
SK hynix、3D DRAM技術によってEUVリソグラフィコストを半減可能と報告
SK hynixが3D DRAM技術を用いてEUVリソグラフィのコストを半減できる可能性があることが明らかになった。SK hynixの研究者Seo Jae Wook氏が業界会議で発表したこの情報は、DRAM製造における大きな転換点となりそうだ。 EUVリソグラフィによるコスト上昇を... -
革新的なEUVリソグラフィー技術が半導体製造を劇的に変える
沖縄科学技術大学院大学(OIST)の新竹積教授が、半導体製造における画期的なEUV(極端紫外線)リソグラフィー技術を提案した。この革新的な技術は、半導体産業に多大な利益をもたらす可能性を秘めている。従来のEUVリソグラフィ装置と比較して、小型のEUV光源... -
ASML、Hyper-NA EUVリソグラフィ実現までのロードマップを公開
高開口（High Numerical Aperture、略してHigh-NA）によるEUVリソグラフィは、今後数年間の半導体製造における決定的な技術となる。これを実現する世界初のHigh-NA EUVリソグラフィ装置を製造するオランダのASML社は、既に「TWINSCAN NXE:5000」の出荷を開...
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