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Samsung第2世代3nmプロセスの歩留まりが目標値の3分の1の20％？見切りを付け2nmに注力との噂も
韓国の半導体大手Samsungが、次世代製造プロセスの開発で深刻な課題に直面している。現地報道によると、同社の第2世代3nmプロセス（GAA）の歩留まりが目標値70%に対してわずか20%にとどまっており、主要顧客の獲得に影響を及ぼしているようだ。 世代間で大... -
Samsung Foundry危機深刻化、次世代3nmプロセスの歩留まり20%に低迷
Samsung Foundryの次世代半導体製造技術が深刻な岐路に立たされている。韓国メディア・Sisa Journalの報道によると、同社の第2世代3nmプロセス（3GAP）の歩留まりが20%程度に留まり、量産体制への移行が困難な状況が続いているという。この状況は、同社の... -
Samsung、2nmプロセスの歩留まり問題は未解決？テキサス州テイラー工場から人員撤退
Samsung Electronicsがテキサス州テイラーにある同社の最新鋭工場から人員を撤退させたことが明らかになった。同社は次世代の2nm GAA（Gate All Around）プロセスの量産を目指していたが、歩留まりが10～20％と低迷し、生産開始の目途が立たない状況である... -
Samsung初の3nmチップ「Exynos W1000」ウェアラブルSoCを発表、Galaxy Watch 7シリーズに搭載へ
Samsungは、これまでの噂通り、同社初のモバイル向け3nmチップとして、まずはウェアラブルにこの最先端技術を導入する事を発表した。Samsungの3nmプロセス採用の新型ウェアラブルSoC「Exynos W1000」は、Galaxy Watch 7シリーズに搭載される見込みで、これ... -
米国政府、中国によるGAAトランジスタ技術やHBMへのアクセスを制限へ
米国政府による中国の半導体規制は厳しくなることはあっても緩まることはないようだ。Bloombergが報じている所では、米Biden政権は、最先端半導体チップ製造に用いられるGAA（Gate All Around）トランジスタ技術や、AI処理で重要になる高帯域幅メモリ（HBM... -
Samsung、Galaxy S25で採用予定のExynos 2500は第2世代3nm GAAプロセスで製造され、Snapdragon 8 Gen 4を上回る性能を示す可能性
Samsung独自のExynosチップはしばらく冬の時代を迎えた後、今年発売のGalaxy S24シリーズで搭載された「Exynos 2400」で評判を取り戻した。とは言え、それは前モデルに比べて優れていると言うものであり、Android向けAPでトップを走るQualcommのSnapdragon... -
次世代トランジスタ構造 「GAA」 とは何か？
コンピューターチップの基本的な構成要素の一つ、「トランジスタ」に10年に一度の大きな技術的革新が起きようとしている。この技術は、今後の半導体業界の勢力図を塗り替える可能性があるほど大きな変化をもたらすと言われている。 その技術は、トランジス... -
Samsung、2025年に2nm GAAチップの量産を計画、6月に詳細が明らかに
Samsung Foundryは、現在世界で唯一Gate All Around（GAA）FETによるチップ製造を行っているが、同社がこれを達成したのは2022年の事であり、2024年の現在、次世代のGAAに取り組んでいる事は間違いない。Business Koreaの新たな報道によれば、Samsungの次...
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