Rapidus、2nmプロセス量産に向けEUVリソグラフィマシン10台導入へ

2025年2月1日

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日本のRapidusが、2nmプロセス技術を用いた半導体量産に向け、極紫外線（EUV）リソグラフィマシンを2つの工場に計10台導入する計画が明らかになった。日本国内へのEUV露光装置導入は今回が初となり、半導体産業の復興に向けた大きな一歩となる。

2つの製造施設に計10台のEUV露光装置を導入

日刊工業新聞の報道によると、Rapidusの小池淳義CEOは、2つの半導体製造施設「IIM-1」と「IIM-2」に合計10台のEUVリソグラフィマシンを導入する計画を明らかにしたとのことだ。IIM-1は現在建設中で、2nmプロセス量産の拠点となる予定。IIM-2はIIM-1に続き、比較的早期に稼働を開始すると見られている。

2024年12月には、IIM-1に最初のEUVリソグラフィマシン、ASML製「NXE:3800E」が搬入された。これは日本国内で初めてのEUVリソグラフィマシン導入となり、日本の半導体産業復興に向けた象徴的な出来事として注目された。

小池CEOは、EUVリソグラフィマシンの具体的な導入スケジュールや機種については言及していない。しかし、IIM-1に最先端の露光装置が今後数年で導入され、その後IIM-2にも導入が進むと推測される。

2027年の2nmプロセス量産開始を目指す

Rapidusは、2nmプロセス技術を用いた半導体の量産を2027年に開始することを目指している。IIM-1では、2025年4月頃に2nmプロセスの試験生産を開始し、同年6月には米Broadcomにサンプル出荷を開始する計画だと報じられている。Broadcomは、AIや通信プロセッサの大手設計企業であり、GoogleやMetaなどの企業と協業している。

2nmプロセスは、半導体の微細化技術における最先端であり、高性能化と低消費電力化を両立できると期待されている。Rapidusが2nmプロセスの量産に成功すれば、TSMCやSamsung Electronicsなどの半導体ファウンドリの世界的なリーダーに肩を並べる存在となる可能性を秘めている。

EUV露光装置導入による生産能力への影響

Rapidusが導入するEUVリソグラフィマシンの機種は明らかにされていないが、IIM-1に導入されたのがASMLの「Twinscan NXE:3800E」であることから、同機種が採用される可能性が高い。Twinscan NXE:3800Eは、1時間あたり最大220枚のウェハーを処理できる能力を持つ。

半導体の製造プロセスにおいて、EUV露光装置は極めて重要な役割を担う。特に、2nmプロセスのような最先端プロセスでは、EUV露光装置を用いて微細な回路パターンをウェーハに焼き付ける必要不可欠となる。

TrendForceの試算によると、2nmプロセスでは、1チップあたり約20層のEUV露光層が必要となる可能性がある。仮にIIM-1に5台のEUV露光装置が導入された場合、月産17,000～20,000枚のウェーハを生産できる潜在力があると見込まれる。ただし、これは非常に粗い試算であり、装置の稼働率や設計の複雑さなど、多くの変動要素によって実際の生産能力は左右される。

半導体ファウンドリ競争の現状とRapidusの展望

半導体ファウンドリ業界では、TSMCが2nmプロセスの量産を2025年に開始する予定で、Apple、NVIDIA、AMD、Qualcommなどが初期顧客として名を連ねると報じられている。Samsungも2nmプロセスの開発を進めており、NVIDIAやQualcommとテストを実施しているという。一方、Intelは20Aプロセスを採用したPanther Lakeプロセッサを2025年後半に投入する予定である。

このように、世界の半導体ファウンドリは、2nmプロセス技術の開発と量産化に向けてしのぎを削っている。Rapidusは、これらの競合に対し、後発ながらも政府支援を背景に、急速にキャッチアップを図っている。