テクノロジー
7.2%シェアで165億ドル受注：Samsung Foundryが3番手で挑む1.4nm量産の論理
2nmプロセスで70%歩留まりを達成し、Teslaとの165億ドル契約を獲得したSamsung Foundryが、凍結していた1.4nm（SF1.4）開発を再始動。2029年量産を目指すが、TSMCに1年・Intelに最大2年遅れる競合環境の中で、その実現可能性をどう見るか。
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テクノロジーAIスケーリングの新しい方程式：imecロードマップが示す「10年で10倍」への現実的な道筋
AIデータセンターの電力消費が限界に達する中、imecは次世代の演算効率向上に向けたロードマップを公開した。CFET構造やCMOS 2.0、体積的3Dパッケージングなどの革新技術により、物理的な微細化の制約を克服し、持続可能な進化を目指す。
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テクノロジーAI電力危機が深刻化する2026年、CHIPS法が2億5000万ドルで仕掛けた地熱×半導体の勝負
米商務省がCHIPS法に基づきI-Pulseとの2億5000万ドル確定合意を締結。同社のSiC半導体はパルス電力で地熱掘削コストを3分の1以下に削減する技術に転用され、BHP・Codelco・リオ・ティントなど鉱業大手が出資する「AI電力問題×地熱」の垂直統合戦略が注目を集める。
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テクノロジーTencentがCXMTメモリを長期確保か？AppleのDRAM分散調達に立ちはだかる中国国内DRAM需要
中国のDRAMメーカーCXMTがTencentと結んだ大型の長期供給契約は、同社の供給能力が中国国内の旺盛なAIやクラウド需要に優先的に割かれる可能性を示唆している。米政府の承認や技術要件に加え、この国内需要がAppleの調達戦略に影響を与える。
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テクノロジーHBMの8割を握る韓国が900兆ウォン投資に踏み切る：AI急需要とCXMT台頭の二重圧力
Samsung・SK hynixが韓国南西部に計900兆ウォン（約5,800億〜6,500億ドル相当）を投じる「第二の半導体ベルト」構想を発表した。HBMの世界供給の約8割を握りながら中国CXMTの台頭とAI需要急増に迫られる韓国の、国家的賭けの内実を解剖する。
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テクノロジーDRAM価格高騰のために共謀したとしてSamsung・SK hynix・Micronが集団訴訟を起こされる：DRAM寡占90%の代償
Samsung・SK hynix・Micronの3社は世界DRAMシェアの約90%を握り、今回で3回目となる連邦集団訴訟の被告に立たされた。過去の刑事有罪前歴とAppleの同日値上げが示す市場支配力が、原告側の中心的な武器となる。
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テクノロジーゲーム機もスマホも電気代もなぜ上がるのか？ビッグテック7000億ドルAI投資が起こす第3のインフレ
ビッグテック主要5社が2025年に投じるAI設備投資は合計約7000億ドル超に上り、コロンビア大学の推計では2032年までの累計で8兆ドルに達する。この巨大な資本集中がDRAMを約200%高騰させ、ゲーム機値上げや電力料金上昇として消費者に届く構図を解説する。
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テクノロジーDRAMとNANDの高騰はいつ終わるのか？Micron、Samsung、SK hynixが示す2028年の条件
AI需要に伴うメモリー価格の高騰は、主要メーカーと大口顧客による供給枠の複数年契約やHBMの生産難化により、2027年以降も続く見通しだ。この供給不足はメーカーに巨額の利益をもたらす一方、消費者向け製品のコストを押し上げる要因となっている。
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テクノロジーIntel Nova Lake-S 52コアCPUは最大474WのPL2を持つ可能性。デュアルタイル設計がデスクトップCPUの消費電力を塗り替えるか
Intelの次世代CPU「Nova Lake-S」は、デスクトップ向けで初となるデュアルタイル設計により最大52コア構成を実現する見込みだ。ピーク時の消費電力は474Wに達すると予測され、最上位のZ990マザーボードでは電力供給を強化する新基準が導入される。
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テクノロジーApple、メモリ高騰の中で米政府規制中の中国CXMT製メモリの調達を模索か？
Appleはメモリ価格の高騰を受け、中国のCXMTからの部品調達を検討している。将来的な規制による供給停止リスクを回避するため、同社は米政府に対し、取引の継続性に関する保証や承認を求める異例の働きかけを行っている。（113文字）
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サイエンススマホ単体で画像生成AIが動く未来へ。TPUの40倍省電力な「ハフニウム強誘電体メモリ」の衝撃
ソウル大学の研究チームは、強誘電体メモリの電圧制御により、決定論的な演算と確率的な乱数生成を自在に切り替えられる新素子を開発した。電子の揺らぎを利用して生成AIに必要なカオスと秩序を単一デバイスで両立し、電力効率と省スペース化を劇的に向上させた。
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テクノロジーIBM、2nmより50%速く70%省エネな「0.7nm」ナノスタック技術の開発に成功
IBMが世界初のサブ1nm半導体技術「ナノスタック」を発表。トランジスタを3次元に積層する新設計で爪サイズのチップに約1000億個を集積し、2nmチップ比で最大50%の性能向上または70%の省エネを実現した。量産化は5年後の見通しで、Rapidusなどとの製造ライセンス展開が焦点になる。