テクノロジー
Intel 18Aは“先進的”過ぎるが故に他社が採用を見送った？裏面給電（BSPDN）の技術的勝利が招く「外部顧客採用」のジレンマ
Intelが社運を賭けて推進する「4年間に5つのノード」という野心的なロードマップが、ついに最終コーナーを回った。その象徴である「Intel 18A」プロセスは、同社にとって技術的なマイルストーンであると同時に、ファウン […]
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テクノロジーSamsung、NVIDIA「Vera Rubin」向けHBM4を2026年2月にも量産開始：AIを支える次世代メモリの覇権争い
Samsung Electronicsが、生成AI（人工知能）市場の勢力図を塗り替える決定的な一手を打とうとしている。同社は2026年2月後半、世界初となる第6世代高帯域幅メモリ「HBM4」の量産を開始する。この新型チッ […]
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テクノロジーIntel、物議を醸した「従量課金制」CPUモデルを静かに廃止：シリコン・サービスの終焉とAI時代への回帰
2026年2月、半導体業界に一つの重要な節目が訪れた。Intelが数年にわたって推進してきた、CPUの機能を後付けでアンロックする「Software Defined Silicon（SDSi）」、通称「Intel On […]
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テクノロジー半導体市場はついに1兆ドルの大台へ：2025年の実績が示した「AI偏重」という劇薬の正体
2025年、世界の半導体産業はかつてない熱狂の渦中にあった。米国半導体工業会（SIA）が発表した最新データによれば、同年の世界売上高は前年比25.6%増の7,917億ドル（約118兆円）に達し、過去最高記録を塗り替えた。 […]
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テクノロジーAIの熱狂がCPUの供給不足も引き起こす：Intel・AMDが中国で直面する「半年待ち」の異常事態
世界的な人工知能（AI）ブームが、ついに半導体供給網の「心臓部」にまで深刻な影を落とし始めた。これまでAIバブルの主役は、膨大な演算処理を担うGPU（画像処理半導体）や、データを高速でやり取りするHBM（高帯域幅メモリ） […]
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テクノロジーTexas InstrumentsによるSilicon Labs買収：アナログ巨人がエッジAIと無線通信の覇権を狙う理由
アナログおよび電源管理ICで世界をリードするTexas Instruments（以下、TI）が、無線接続と低消費電力プロセッサのスペシャリストであるSilicon Laboratories（以下、Silicon Labs […]
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テクノロジーAmazon、2025年Q4決算を発表：記録的増収を報告も2000億ドルの設備投資発表を受け株価は時間外で10％下落
Amazon.com（以下、Amazon）が2026年2月5日に発表した2025年度第4四半期決算は、テクノロジー業界の地殻変動を象徴する内容となった 。売上高は前年同期比14％増の2,134億ドルに達し、市場予想を上回 […]
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テクノロジーTSMC熊本第2工場「3nm」製造へ：日本半導体産業が迎える歴史的転換点とAI時代の覇権争い
2026年2月5日。この日は、日本の半導体史において「失われた30年」の終焉を告げる象徴的な一日として記憶されることになるだろう。世界最大の半導体受託製造企業（ファウンドリ）であるTSMC（Taiwan Semicond […]
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テクノロジーIntelの逆襲：Lip-Bu Tanが描く「GPU内製化」とNVIDIA独占への挑戦状
2026年2月、IntelのCEOであるLip-Bu Tan氏は、Cisco AI Summitの壇上で、同社の将来を決定づける極めて重要な戦略を発表した。長年NVIDIAが支配してきたグラフィックス・プロセッシング・ユ […]
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テクノロジーソフトバンク傘下のSAIMEMORYとIntelが挑む「ZAM」革命：AI半導体の電力・熱問題を打破する次世代メモリの全貌とは
2026年2月3日、ソフトバンクグループが設立したメモリ新会社「SAIMEMORY（サイメモリ）」と、米半導体大手Intelが、次世代メモリ技術「ZAM（Z-Angle Memory）」の開発および実用化に向けた広範な協 […]
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テクノロジーTSMC 2nmプロセス争奪戦の全貌：Apple・NVIDIAが仕掛ける「次世代AIインフラ」の覇権争い
半導体産業は今、未曾有の領域へと足を踏み入れようとしている。台湾積体電路製造（TSMC）が推進する「2nm（N2）」プロセスを巡り、世界のテックジャイアントによる空前絶後のキャパシティ争奪戦が激化しているのだ。これは10 […]
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サイエンスシリコンの限界を超える「1000倍の集積密度」：分子エレクトロニクスが切り拓く、ムーアの法則後の新世界
現在のシリコンベースの半導体技術は、物理的かつ経済的な限界点に到達しようとしている。最新の3nmプロセスにおけるトランジスタのゲート長は15nm以下にまで縮小され、量子トンネル効果による電流漏れや、製造工場の建設コストが […]