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テクノロジー
Samsung・SK hynix、次世代AI向けメモリLPDDR6-PIMの標準化で歴史的協業へ
業界を二分する半導体メモリの巨人、SamsungとSK hynixが、次世代AI処理用メモリ「LPDDR6-PIM」の標準化に向けて異例の協力体制を築くことを明らかにした。この協業は、急速に拡大するオンデバイスAI市場を見据えた戦略的な動きとして注目を集めている。 ... -
テクノロジー
米バイデン政権、中国半導体産業に対する包括的な輸出規制を発表 – 140社以上が対象に
米Biden(バイデン)政権は12月2日、中国の半導体産業に対する新たな輸出規制を発表した。この措置により、中国の140社以上が規制対象となり、人工知能(AI)開発に不可欠な高帯域メモリ(HBM)チップの輸出も制限される。これは、Donald Trump(ドナルド... -
テクノロジー
2024年Q3のDRAM市場、HBM需要で13.6%成長 – 中国勢の台頭で価格下落の懸念も
グローバルDRAM市場は2024年第3四半期に過去最高の260億2000万ドルの売上高を記録し、前四半期比で13.6%の成長を達成した。この成長は主にデータセンター向けのDDR5およびHBM(High Bandwidth Memory)製品の需要増加に牽引されたものである。 市場成長の... -
テクノロジー
SK hynix、世界初の321層NANDフラッシュメモリの量産開始 – 半導体業界で新たな技術革新
SK hynixは、世界初となる321層4D NANDフラッシュメモリの量産を開始したことを発表した。1テラビットの記憶容量を持つこの新製品は、独自の「3プラグ」製造プロセスを採用し、2025年上半期から顧客への出荷を開始する予定である。 革新的な3プラグ技術で3... -
テクノロジー
MSIがAM5マザーボード向けにDDR5レイテンシ低減機能「Latency Killer」を実装
MSIは、AM5マザーボード向けに新たなパフォーマンス最適化機能「Latency Killer」を導入した。この機能は、特にAGESA 1.2.0.2aアップデート以降に報告されているDDR5メモリのレイテンシ低下に対応するもので、最大8nsのレイテンシ改善を実現するという。 ... -
テクノロジー
中国メモリメーカー、DDR4市場で韓国勢の半額以下の価格攻勢-国策支援で採算度外視の展開
中国の主要メモリメーカーであるChangxin Memory(CXMT)とFujian Jinhua(福建晉華)が、DDR4メモリ市場で大規模な安値攻勢を展開している。韓国メーカー比で50%以上安い価格設定に加え、中古チップをも下回る価格で市場に供給を行っており、グローバルな... -
テクノロジー
SK hynix、世界初の16-Hi HBM3Eメモリを発表 – 48GB大容量スタックで AI性能を最大32%向上
SK hynixは、世界初となる16層積層の「16-Hi HBM3E」メモリを開発したことを発表した。現行の12層製品から4層増やすことで、1スタックあたりの容量を36GBから48GBへと33%増加させることに成功している。同社CEOのKwak Noh-Jung氏が、ソウルで開催されたSK ... -
テクノロジー
NVIDIA、AI性能向上へ次世代メモリHBM4の供給前倒しをSK hynixに要請 – 競争激化するAIチップ市場
NVIDIAのJensen Huang CEOが、韓国SK hynixに対し、次世代高帯域メモリ「HBM4」の供給開始時期を6ヶ月前倒しするよう要請したことが明らかになった。SK GroupのChey Tae-won会長が11月4日、ソウルで開催されたSK AI SUMMIT 2024で明らかにした。この要請は... -
テクノロジー
Intel、コスト高を理由にオンチップの統合メモリは「Lunar Lake」の一回限りで終了
Intelは第3四半期決算説明会で、次世代モバイルプロセッサ「Lunar Lake」に導入する統合メモリ設計について、収益性への影響を理由に今後のCPUでは採用しない方針を明らかにした。この決定は、当初ニッチ製品として想定していたLunar Lakeが、AI PCブーム... -
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Samsungが次世代メモリ「セレクターオンリーメモリ」の開発を加速、RAM並みの高速性とSSDの大容量を両立
Samsungが、コンピューターの処理性能を大きく向上させる可能性を秘めた革新的なメモリ技術の開発を加速している。「セレクターオンリーメモリ(SOM)」と呼ばれるこの新技術は、現在のDRAMとSSDの長所を組み合わせ、高速なデータアクセスと大容量ストレー...