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SK hynix、世界初の16-Hi HBM3Eメモリを発表 – 48GB大容量スタックで AI性能を最大32%向上
SK hynixは、世界初となる16層積層の「16-Hi HBM3E」メモリを開発したことを発表した。現行の12層製品から4層増やすことで、1スタックあたりの容量を36GBから48GBへと33%増加させることに成功している。同社CEOのKwak Noh-Jung氏が、ソウルで開催されたSK ... -
NVIDIA、AI性能向上へ次世代メモリHBM4の供給前倒しをSK hynixに要請 – 競争激化するAIチップ市場
NVIDIAのJensen Huang CEOが、韓国SK hynixに対し、次世代高帯域メモリ「HBM4」の供給開始時期を6ヶ月前倒しするよう要請したことが明らかになった。SK GroupのChey Tae-won会長が11月4日、ソウルで開催されたSK AI SUMMIT 2024で明らかにした。この要請は... -
Samsung、HBM開発で苦戦の背景 – 内部告発で浮き彫りになった組織文化の問題
韓国を代表する電子機器メーカーであるSamsung Electronicsが、半導体事業において苦戦を強いられている。特に、高帯域幅メモリ（HBM）の開発で他社に後れを取っている現状が、業界内外で注目を集めているが、この状況について、Samsung Electronicsの半導... -
AI時代の主役逃す？ SamsungのHBM戦略に暗雲、NVIDIAとの提携にも黄信号
AIブームに沸く半導体業界で、意外な躓きを見せているのが韓国の電子機器大手Samsungだ。同社が野心的に推進してきた高帯域幅メモリ（HBM）事業が予想外の苦戦を強いられていることが明らかになり、皮肉にも、AI時代の主役を担うはずだったSamsungが、その... -
Micron、12-Hi設計で最大36GBのHBM3Eのサンプル出荷を開始
Micronが、AIや高性能コンピューティング分野に革新をもたらす新型メモリの出荷を開始した。同社の「HBM3E 12-high」メモリは、業界最大となる36GB容量を実現し、AI処理能力の大幅な向上が期待されている。 Micronの新型HBM3Eメモリが示す圧倒的な性能 Mic... -
2024年前半は消費者向けメモリ製品の不振によりメモリ価格が下落
2024年前半のメモリ市場が苦戦を強いられている。TrendForceの報告によると、消費者向け電子機器の需要低迷を受け、メモリ製品のスポット価格が急落しているとのことだ。調査によれば、特に第2四半期には、第1四半期比で30%を超える下落を記録したという。... -
SK hynixが次世代HBM4を10月にテープアウト、NVIDIAの次世代AI向けチップに搭載へ
SK hynixが次世代高帯域メモリ(HBM)の開発を加速させている。同社は今年10月にHBM4メモリの「テープアウト」を完了させる計画だ。これは、NVIDIAの次世代AI向けチップに搭載されることを見据えた動きと見られる。HBM4は現行のHBM3Eの後継となる第6世代のHB... -
Samsungが次世代HBM4の開発を加速、2024年末までにテープアウトへ
韓国の電子大手Samsungが、次世代の高帯域幅メモリ「HBM4」の開発を急ピッチで進めている。複数の業界報道によると、Samsungは2024年第4四半期までにHBM4のテープアウトを完了させる計画とのことだ。 SamsungのHBM4開発の詳細と今後の展望 SamsungのHBM4開... -
SK hynix、現行製品の30倍の性能を持つ次世代HBMを開発中と明かす
SK hynixが現行製品の30倍の性能を目指すという次世代HBMメモリの開発に乗り出した。この画期的な技術革新は、急速に成長するAI市場におけるHBMの重要性を反映したものと言える。 SK hynixの野心的な次世代HBM開発計画 SK hynixのRyu Seong-su副社長は、20... -
SamsungがNVIDIA向けAIチップ用HBM3Eの認証取得
Samsung Electronicsの第5世代高帯域幅メモリ（HBM3E）チップが、NVIDIAのAIプロセッサ向け品質検査を通過したことがReutersによって報じられている。これにより、AIチップ市場における競争が新たな局面を迎えることになるかもしれない。 HBM3Eが認証を通...