
SamsungのHBMダミーダイ特許出願が公開。高積層化の信頼性が焦点に
SamsungはHBMの最上部に配置するダミーダイの形状を改良し、接合強度と放熱効率を高める特許を出願した。側面を三段の曲面構造にして上面を広げることで、モールド層の体積を減らしつつ機械的信頼性を向上させ、高積層化に伴う熱問題を解消する狙いだ。

SamsungはHBMの最上部に配置するダミーダイの形状を改良し、接合強度と放熱効率を高める特許を出願した。側面を三段の曲面構造にして上面を広げることで、モールド層の体積を減らしつつ機械的信頼性を向上させ、高積層化に伴う熱問題を解消する狙いだ。

NVIDIAの次世代AIアクセラレーター「Rubin Ultra」において、製造上の懸念から4チップレット構成を断念し、2チップレットへ変更する計画が報じられた。同社は単体性能の追求よりも量産性を重視し、ラック単位での最適化へ舵を切った。
Samsung・SK hynixが韓国南西部に計900兆ウォン(約5,800億〜6,500億ドル相当)を投じる「第二の半導体ベルト」構想を発表した。HBMの世界供給の約8割を握りながら中国CXMTの台頭とAI需要急増に迫られる韓国の、国家的賭けの内実を解剖する。

Micronが複数の主要顧客と2030年までの長期供給契約を締結したことは、AI需要によるメモリー不足が長期化する見通しを裏付けている。この契約は供給枠の確保と引き換えに高水準の下限価格を設定しており、同社の将来的な収益安定性を強固にするものだ。

Micronの2026年度第3四半期決算は、AI需要に伴う価格上昇で過去最高の売上高を更新した。供給不足を背景に顧客との複数年にわたる長期契約が拡大しており、メモリ市場が従来の価格変動を伴う循環から安定供給を重視する構造へ移行しつつある。

SK hynixは、AIメモリの増産に向けた資金調達のため、米国ナスダック市場への上場を申請した。最大約1,779万株の新株を発行し、調達した資金は次世代HBMの生産能力拡大に不可欠な龍仁の新工場建設やEUV露光装置の取得などに充てる計画だ。

MicronがAnthropicと複数年にわたるHBM・DRAM・SSD供給契約、メモリアーキテクチャの共同設計、Series H出資という三重構造の戦略提携を締結。AI向けメモリ市場で2位に浮上したMicronがサプライチェーンを武器に差別化を図る構造変化を解説する。

SK hynixが12層HBM4Eサンプルを出荷開始。16Gbps/ピン・48GB容量・HBM4比で電力効率20%超向上を実現し、HBM市場58%を握る同社がNVIDIA Rubin Ultra向け認定レースの主導権維持を図る。Samsungとの量産タイムライン差が2027年のシェアを左右する。

Samsungが、次世代AI向けメモリ「HBM4E」(12層/48GB)のサンプル出荷を予定より前倒しして開始。帯域幅最大3.6TB/sの性能向上に加え、4nmロジックダイを活用した電力効率や熱特性の改善が鍵となる。AIメモリの競争軸が「単体スペック」から「製造統合力と安定供給」へと移るなか、業界初となるサンプル出荷の意義と、量産に向けた今後のハードルを読み解く。

AIデータセンターのGPUやAIアクセラレータは、高密度な電力消費による「熱」がボトルネックとなり性能が制限されている。これに対しSK hynixは、HBMパッケージ内部に直接冷却要素を埋め込む「iHBM」を発表し、熱源から直接冷却することで熱抵抗を30%削減、高負荷時でも安定した性能維持を可能にした。この技術は、次世代AIハードウェアの設計を根本から変える画期的なブレイクスルーである。

NVIDIAの次世代AIラック「VR200 NVL72」の製造原価は、メモリコストの435%上昇などにより約780万ドルに達すると推定されている。この高額なインフラ投資は、AI開発におけるハードルを高め、クラウド事業者のビジネスモデルやAIコンピューティングリソースの価格設定に大きな影響を与える見通しだ。

SK hynixは営業利益の10%をボーナスプールに充当する制度を導入し、2026年Q1だけで約25億ドルを従業員に分配し、韓国の労働市場に新たな基準を打ち立てた。一方、SamsungではHBM市場での出遅れ、社内報酬格差による部門間の分断、そして4万5,000人超の半導体部門労働者による18日間のストライキが重なり、DRAM市場シェアとHBM顧客の流出リスクが高まっている。