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中国企業が国産HBM2の試験生産を開始、中国産AIの技術的独立が更に進む可能性
中国の半導体メーカーTongfu Microelectronicsが、高帯域幅メモリ(HBM)の第2世代となるHBM2の試験生産を開始したことが明らかになった。同社の参入は、中国半導体産業の技術的自立に向けた重要な一歩となる可能性がある。 中国メモリ産業における画期的... -
SK hynix、最先端3nmプロセスでHBM4を2025年後半から量産へ – NVIDIAとの協業を強化
SK hynixが第6世代高帯域幅メモリ(HBM4)の製造プロセスを、当初計画していた5nmから最先端の3nmへと変更することを決定した。2025年後半からNVIDIAへの供給を開始する計画で、半導体業界における技術革新の加速を象徴する動きとなっている。 3nmプロセス採... -
米バイデン政権、中国半導体産業に対する包括的な輸出規制を発表 – 140社以上が対象に
米Biden(バイデン)政権は12月2日、中国の半導体産業に対する新たな輸出規制を発表した。この措置により、中国の140社以上が規制対象となり、人工知能(AI)開発に不可欠な高帯域メモリ(HBM)チップの輸出も制限される。これは、Donald Trump(ドナルド... -
2024年Q3のDRAM市場、HBM需要で13.6%成長 – 中国勢の台頭で価格下落の懸念も
グローバルDRAM市場は2024年第3四半期に過去最高の260億2000万ドルの売上高を記録し、前四半期比で13.6%の成長を達成した。この成長は主にデータセンター向けのDDR5およびHBM(High Bandwidth Memory)製品の需要増加に牽引されたものである。 市場成長の... -
米国、中国半導体企業200社への追加制裁を検討―HBMも規制対象に
バイデン政権が中国の半導体産業に対する新たな制裁措置を準備している。米国商工会議所の会員向け電子メールによると、約200社の中国半導体企業が新たに取引制限リストに追加される見通しである。さらに、人工知能開発に不可欠な高帯域幅メモリ(HBM)の... -
SK hynix、世界初の16-Hi HBM3Eメモリを発表 – 48GB大容量スタックで AI性能を最大32%向上
SK hynixは、世界初となる16層積層の「16-Hi HBM3E」メモリを開発したことを発表した。現行の12層製品から4層増やすことで、1スタックあたりの容量を36GBから48GBへと33%増加させることに成功している。同社CEOのKwak Noh-Jung氏が、ソウルで開催されたSK ... -
NVIDIA、AI性能向上へ次世代メモリHBM4の供給前倒しをSK hynixに要請 – 競争激化するAIチップ市場
NVIDIAのJensen Huang CEOが、韓国SK hynixに対し、次世代高帯域メモリ「HBM4」の供給開始時期を6ヶ月前倒しするよう要請したことが明らかになった。SK GroupのChey Tae-won会長が11月4日、ソウルで開催されたSK AI SUMMIT 2024で明らかにした。この要請は... -
Samsung、HBM開発で苦戦の背景 – 内部告発で浮き彫りになった組織文化の問題
韓国を代表する電子機器メーカーであるSamsung Electronicsが、半導体事業において苦戦を強いられている。特に、高帯域幅メモリ(HBM)の開発で他社に後れを取っている現状が、業界内外で注目を集めているが、この状況について、Samsung Electronicsの半導... -
AI時代の主役逃す? SamsungのHBM戦略に暗雲、NVIDIAとの提携にも黄信号
AIブームに沸く半導体業界で、意外な躓きを見せているのが韓国の電子機器大手Samsungだ。同社が野心的に推進してきた高帯域幅メモリ(HBM)事業が予想外の苦戦を強いられていることが明らかになり、皮肉にも、AI時代の主役を担うはずだったSamsungが、その... -
Micron、12-Hi設計で最大36GBのHBM3Eのサンプル出荷を開始
Micronが、AIや高性能コンピューティング分野に革新をもたらす新型メモリの出荷を開始した。同社の「HBM3E 12-high」メモリは、業界最大となる36GB容量を実現し、AI処理能力の大幅な向上が期待されている。 Micronの新型HBM3Eメモリが示す圧倒的な性能 Mic...