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SK hynixは、世界初となる321層4D NANDフラッシュメモリの量産を開始したことを発表した。1テラビットの記憶容量を持つこの新製品は、独自の「3プラグ」製造プロセスを採用し、2025年上半期から顧客への出荷を開始する予定である。 革新的な3プラグ技術で3...

SK hynixは、世界初となる16層積層の「16-Hi HBM3E」メモリを開発したことを発表した。現行の12層製品から4層増やすことで、1スタックあたりの容量を36GBから48GBへと33%増加させることに成功している。同社CEOのKwak Noh-Jung氏が、ソウルで開催されたSK ...

NVIDIAのJensen Huang CEOが、韓国SK hynixに対し、次世代高帯域メモリ「HBM4」の供給開始時期を6ヶ月前倒しするよう要請したことが明らかになった。SK GroupのChey Tae-won会長が11月4日、ソウルで開催されたSK AI SUMMIT 2024で明らかにした。この要請は...

SK hynixは世界初となる1c（第6世代10nmクラス）プロセスを用いた16Gb DDR5メモリの開発に成功したことを発表した。10nm範囲のDRAM技術の縮小プロセスを進める難易度は世代を重ねるごとに増しているが、SK hynixは業界で初めて技術的限界を克服し、設計の...

SK hynixが次世代高帯域メモリ(HBM)の開発を加速させている。同社は今年10月にHBM4メモリの「テープアウト」を完了させる計画だ。これは、NVIDIAの次世代AI向けチップに搭載されることを見据えた動きと見られる。HBM4は現行のHBM3Eの後継となる第6世代のHB...

SK hynixが現行製品の30倍の性能を目指すという次世代HBMメモリの開発に乗り出した。この画期的な技術革新は、急速に成長するAI市場におけるHBMの重要性を反映したものと言える。 SK hynixの野心的な次世代HBM開発計画 SK hynixのRyu Seong-su副社長は、20...

SK hynixが3D DRAM技術を用いてEUVリソグラフィのコストを半減できる可能性があることが明らかになった。SK hynixの研究者Seo Jae Wook氏が業界会議で発表したこの情報は、DRAM製造における大きな転換点となりそうだ。 EUVリソグラフィによるコスト上昇を...

DRAM価格の大幅上昇が始まった。SK hynixがDDR5メモリの価格を最大20%引き上げる方針を明らかにしたのだ。このことは、AI需要の急増によりHBM（High Bandwidth Memory）の生産にリソースが集中し、通常のDRAM供給が逼迫していることが背景にある。この動き...

現代のAI半導体を支えるNVIDIA、TSMC、SK hynixの「三角同盟」は、次世代高帯域幅メモリ（HBM）と先端GPUの開発を加速させるため、協力関係の強化を目指しているようだ。台湾で9月に開催される「SMICON Taiwan」において、三社が協業の強化について議論す...

韓国のメモリサプライヤーSK hynixは、AI開発により益々重要になるメモリ分野において、技術開発を加速させ、競争力を強化するために、今後3年間で103兆ウォン（12兆円）の投資を計画していることが明らかになった。この投資は、現在韓国で建設中の13兆円...