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14A

別名: Intel 14A

Overview

14Aは、Intelが「18A」プロセスの後継として位置づけている次世代の半導体製造プロセスノードです。2027年のリスク生産開始を予定しており、1.4nm世代の微細化に相当します。18Aと比較して、ワット当たりの性能が15〜20%向上し、同一性能であれば消費電力を25〜35%削減できるとされています。技術的には、第2世代のゲート・オール・アラウンド構造（RibbonFET）や、裏面電力供給ネットワークの進化版「PowerDirect」、さらにHigh-NA EUVリソグラフィ技術を全面的に活用することで、トランジスタ密度を18A比で約1.3倍に高める計画です。

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