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次世代DDR6メモリは最大17.6Gbps、LPDDR6メモリは最大14.4Gbpsのデータレートを実現へ
LPDDR5は2019年2月に公開され、既に5年が経つ。俗にドッグイヤーと呼ばれるテクノロジー業界で5年の歳月が経過することは陳腐化を意味し、SamsungのLPDDR5XやSK hynixのLPDDR5Tと言った、独自の中間アップデートも提供されているが、根本的な刷新を求める... -
Micron、Crucialブランドで世界初のLPCAMM2メモリモジュールを販売
SODIMMを置き換える待望のラップトップ向けメモリ・モジュール規格「LPCAMM2 (Low Power Compression Attached Memory Module 2)」が、先日Lenovoのラップトップ「ThinkPad P1 Gen 7」に採用され、世に出回り始めたが、Micronもこれに合わせて初の小売り向... -
HBMへの旺盛な需要によりDDR5メモリの価格が上昇する可能性
初登場時は高価で手の届かなかったDDR5メモリも価格が下がり、一般ユーザーでも手が届きやすくなってきている。だが、市場調査会社TrendForceのレポートでは、こうした状況も今後は変わる可能性が示唆されている。それもこれも、全てはAI分野の需要の影響... -
Microsoft、業界の流れに乗りWindows 11タスクマネージャのメモリ速度表記を「MHz」から「MT/s」に変更へ
Microsoftのタスクマネージャーでは、現在メモリの速度は「MHz」表記が用いられている。これはメモリ業界が歴史的にこの指標を用いてきた名残からだが、最近のDDRメモリの速度にMHzを使用することが少なくなって来た業界の動きに沿って、Microsoftもこの表... -
摂氏600度でも動作する全く新しいメモリの開発に成功、スマートフォンやAIサーバーに革命をもたらす可能性
夏の暑い日にスマートフォンで動画撮影をしていると警告が表示された事がないだろうか？これは、高温にスマートフォンが耐えられない可能性があるため、意図的に性能を下げるか、場合によってはシャットダウンする必要が生じるからだが、今後はそうした必... -
夢のメモリの実現か？実用的な相変化メモリの製造に成功と韓国の研究者が報告
我々が一般的に使用しているコンピューティングデバイスに使用されているDRAMは、高速ではあるが、揮発性でもあるため、電源を切るとデータを保持できなくなる性質がある。そのため、データ・ストレージとしては使い物にならない。一方、一般的にデータ・... -
Samsung、1Tb TLC第9世代V-NANDの量産を開始、2024年後半にはQLCも
Samsungは、第8世代V-NANDより50％ビット密度が向上し、33％の高速化を果たした第9世代V-NANDフラッシュ・ップの量産を開始すると発表した。 SamsungによればTLC NANDは今月中に生産が開始され、QLCの量産は今年後半になると予想されている。第9世代V-NAND... -
SK hynix、HBM4及び次世代パッケージング技術開発でTSMCと提携
SK hynixは、次世代のAI向け高帯域幅メモリー（HBM）の生産や、先進的なパッケージング技術によるロジックとHBMの統合に向け、TSMCとパートナーシップ協定を結んだことを明らかにした。SK hynixはこれにより、2026年から量産が予定されているHBMファミリー... -
SK hynix、米インディアナ州に40億ドルを投資し世界最大の先端半導体パッケージング工場を建設へ
以前、韓国のSK hynixが世界最大規模のメモリ製造施設を米国に建造する計画でいることがThe Wall Street Journal紙によって報じられた。これは内部関係者の話としてリークされたもので、SK hynixは公式な回答は行っていなかった。あれから数週間、ついにSK... -
SK hynix、「世界最大のメガファブ複合施設」に総額13兆円を投資、2027年に最初のファブが稼働へ
SK hynixは、2025年3月に龍仁半導体クラスターと呼ばれるメガファブ複合施設の建設を開始し、2046年に完成する予定だ。 2046年の全稼働を目指す世界一のメガファブ複合施設 韓国通商産業エネルギー省の声明によると、「ファブ1の約35％はこれまでに完成し...