メモリ– tag –
-
テクノロジー
Samsung、1Tb TLC第9世代V-NANDの量産を開始、2024年後半にはQLCも
Samsungは、第8世代V-NANDより50%ビット密度が向上し、33%の高速化を果たした第9世代V-NANDフラッシュ・ップの量産を開始すると発表した。 SamsungによればTLC NANDは今月中に生産が開始され、QLCの量産は今年後半になると予想されている。第9世代V-NAND... -
テクノロジー
SK hynix、HBM4及び次世代パッケージング技術開発でTSMCと提携
SK hynixは、次世代のAI向け高帯域幅メモリー(HBM)の生産や、先進的なパッケージング技術によるロジックとHBMの統合に向け、TSMCとパートナーシップ協定を結んだことを明らかにした。SK hynixはこれにより、2026年から量産が予定されているHBMファミリー... -
テクノロジー
SK hynix、米インディアナ州に40億ドルを投資し世界最大の先端半導体パッケージング工場を建設へ
以前、韓国のSK hynixが世界最大規模のメモリ製造施設を米国に建造する計画でいることがThe Wall Street Journal紙によって報じられた。これは内部関係者の話としてリークされたもので、SK hynixは公式な回答は行っていなかった。あれから数週間、ついにSK... -
テクノロジー
SK hynix、「世界最大のメガファブ複合施設」に総額13兆円を投資、2027年に最初のファブが稼働へ
SK hynixは、2025年3月に龍仁半導体クラスターと呼ばれるメガファブ複合施設の建設を開始し、2046年に完成する予定だ。 2046年の全稼働を目指す世界一のメガファブ複合施設 韓国通商産業エネルギー省の声明によると、「ファブ1の約35%はこれまでに完成し... -
テクノロジー
SO-DIMMを置き換えるノートPC用RAMの新たな規格「CAMM2」がJEDEC標準の承認を受ける
JEDEC(JEDEC Solid State Technology Association)は、JESD318: Compression Attached Memory Module(CAMM2)共通規格の発行を発表した。これは、SO-DIMM以来となるノートPC向けのRAMの新しいフォームファクタであり、これまでCAMMと呼ばれていたものが...