Western Digitalは最近開催した投資家向けプレゼンテーションの中で、世界初の2Tb 3Dクアッドレベルセル（QLC）NANDフラッシュメモリダイを発表した。このチップは、密度の点で競合他社を凌駕するものであり、さらに高速で大容量のSSDを実現し、消費電力も削減する可能性がある。当初はデータセンター市場に限定されるが、いずれは一般消費者向けPCにも普及するものと見られる。
Western Digitalの最新NANDフラッシュはAIセグメントをターゲットにしている
「BiCS8 2Tb 3D QLCダイのプレビューを皆様にお見せできることに非常に興奮しています。このダイはデータセンターおよびAIのストレージニーズに応えるよう設計されています。近いうちにこの製品を正式に発表する予定ですが、今日は皆様と共有したいと思います。これは世界で最も大容量のメモリダイです」と、Western Digitalのフラッシュビジネス担当エグゼクティブバイスプレジデント兼ゼネラルマネージャーのRobert Soderbery氏は述べた。
この小型チップは、WDとパートナーであるKioxiaが共同開発した最新の第8世代BiCS 3D NAND技術を使用して、単一のダイに256GBのストレージを搭載している。この製造技術により、WDは単一ダイに218層を収めることができ、現在のNANDフラッシュメモリが通常持つ112層のほぼ2倍となっている。
256GBのNANDと言う事で、これまでの半分のNANDチップで同容量を実現でき、同じNANDチップ数ならば2倍の容量を実現できる。これは大幅なコスト削減に繋がるはずだ。
Western Digitalはまた、新しいQLC NANDの性能向上についてもいくつかの利点を報告している。同社の統計によれば、I/Oスループットは競合するNANDよりも50％速く、1GBあたり13％少ないで電力での書き込みを可能にするという。
密度の面では、QLCダイ密度が競合他社よりも15〜19％高いとのことだ。
WDがこの技術を実現するために使用している手法は巧妙だ。チップ全体を一度にエッチングする代わりに、CMOSコントローラ回路を1つのダイとして製造し、それを反転させてハイブリッドボンディングで積層されたQLC NANDメモリ層と接続しているようだ。
WDによれば、最新のNANDメモリチップは特にAIおよびデータセンターのアプリケーションをターゲットにしている。これらの市場の大容量ストレージに対する需要は大きな物だ。しかし、今後はコンシューマ向けにデスクトップSSDで利用可能になることも予想される。
もちろん、QLC NANDには高級なTLCやMLC NANDと比較していくつかの欠点がある。書き込み耐久性が低く、特に高負荷時には性能が一貫しないことがある。しかし、WDは前世代と比較してQLCの耐久性を60％向上させ、レイテンシとスループットの一貫性も向上させたと主張している。
Western Digitalはまだ2Tbダイの全体的なアーキテクチャの詳細、例えばインターフェイス速度、プレーン数、レイテンシ数値などについては明らかにしていない。しかし、AIやデータセンターのユースケースに焦点を当てており、高スループットを要求するため、優れたランダムI/O性能が期待できそうだ。Western Digitalの最新NANDフラッシュはAIセグメントをターゲットにし
Sources
- Western Digital: The New Era of NAND
- via Tom’s Hardware: WD unveils world’s highest-capacity flash memory chip — 2Tb 3D QLC flash chips open the door to bigger and cheaper SSDs
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