不揮発性磁気メモリ

不揮発性磁気メモリ（Magnetoresistive Random Access Memory: MRAM）は、電子のスピン状態を利用してデータを記録するメモリ技術です。高速動作が可能でありながら、電源を切っても情報が保持される「不揮発性」を持ち、さらに書き換え耐性が高いという特徴があります。MgO/Fe(001)などのスピントロニクス材料がその中核技術として利用されています。