サイエンス
ムーアの法則を超える?世界初、6層積層CMOSチップの開発に成功
サウジアラビアのキング・アブドゥッラー科学技術大学(KAUST)の研究チームが、世界初となる6層の垂直積層型ハイブリッドCMOS(相補型金属酸化膜半導体)マイクロチップの開発に成功した。これは、これまで2層が限界とされて […]
別名: In2O3, Indium Oxide
透明導電膜や薄膜トランジスタのチャネル材料として用いられる無機金属酸化物。高い電子移動度と優れた光学的透明性を持ち、ディスプレイの駆動回路などに広く応用されている。本研究ではn型トランジスタのチャネル材料として採用され、低温プロセスでの形成が可能であることから、有機半導体とのハイブリッド積層回路の実現に寄与している。