Term

シリコンカーバイド

別名: SiC, 炭化ケイ素, シリコンカーバイド

Overview

シリコンと炭素が1対1で結合した化合物半導体材料である。従来のシリコンに比べて絶縁破壊電界強度が約10倍、熱伝導率が約3倍と非常に優れた物理的特性を持つ。これにより、電力損失の大幅な低減とデバイスの小型化が可能になるため、電気自動車(EV)のインバーターや鉄道車両、産業機器などの高電圧・大電流を扱うパワーエレクトロニクス分野で急速に普及が進んでいる。一方で、高品質な単結晶の製造コストが高いという課題も抱えている。

Mentioned Articles

2 件