テクノロジー
レーザーアニール技術の需要拡大:SiCから400層NAND、HBM実装までを支える次世代熱処理プロセス
半導体製造の微細化や構造の複雑化に伴い、熱ダメージを抑えつつ局所的な熱処理が可能なレーザーアニール技術の重要性が高まっている。次世代SiCパワー半導体の大口径化や積層NAND、HBMの製造における歩留まり向上を実現する鍵として期待されている。
別名: SiC, 炭化ケイ素, シリコンカーバイド
シリコンと炭素が1対1で結合した化合物半導体材料である。従来のシリコンに比べて絶縁破壊電界強度が約10倍、熱伝導率が約3倍と非常に優れた物理的特性を持つ。これにより、電力損失の大幅な低減とデバイスの小型化が可能になるため、電気自動車(EV)のインバーターや鉄道車両、産業機器などの高電圧・大電流を扱うパワーエレクトロニクス分野で急速に普及が進んでいる。一方で、高品質な単結晶の製造コストが高いという課題も抱えている。