テクノロジー
Samsung、消費電力を96％削減する新たなNAND型フラッシュメモリの開発に成功：「強誘電体×酸化物半導体」の革命とは
デジタルデータが爆発的に増加する現代において、そのデータを保存する「器」であるメモリ技術に、大きな革新が起きそうだ。 2025年11月、学術誌『Nature』に掲載されたSamsung Advanced Institut […]
Term
ジルコニウム添加ハフニア
別名: HfZrO2, HZO
Overview
ジルコニウム添加ハフニア（HfZrO2）は、次世代半導体プロセスで広く研究されている強誘電体材料である。従来の強誘電体材料（PZTなど）は微細化が難しく、シリコンプロセスとの相性も悪かったが、ハフニア系材料は原子層堆積法（ALD）によって極めて薄い膜厚でも安定した強誘電性を発揮できる。また、既存のCMOS製造ラインとの親和性が非常に高く、FeFETや次世代DRAMの絶縁膜としての応用が進んでいる。Samsungの研究では、この材料をゲート絶縁膜に採用することで、低電圧での高速なスイッチングと高い信頼性を実現している。