テクノロジー
Samsung、290層V-NANDを今月にも量産開始、430層V-NANDも2025年に量産へ
Samsungは、AI技術の高まりにより、高性能・大容量ストレージの需要が高まる中、競合他社に先んじて今月中に、290層の第9世代V-NAND（V9）チップの量産を開始する可能性があり、2025年には最大430層となる第 […]
Term
ダブルスタック
別名: Double Stack
Overview
ダブルスタックは、3D NANDフラッシュメモリの製造工程において、メモリセルの層を2つのブロック（スタック）に分けて形成し、それらを垂直に接合する技術です。層数が増えるほど一度の工程で穴を開けるチャネルホールエッチングが困難になりますが、スタック数を抑えることで製造工程の簡略化、歩留まりの改善、およびコスト削減が可能になります。