酸化物半導体

酸化物半導体は、インジウム、ガリウム、亜鉛などの金属酸化物（例：IGZO）を主成分とする半導体材料である。従来のシリコン（Si）と比較して、オフ状態におけるリーク電流（漏れ電流）が劇的に少ないという優れた特性を持つ。このため、低消費電力が求められるディスプレイの薄膜トランジスタ（TFT）や、長期間の電荷保持が必要なメモリ素子のチャネル材料として注目されている。従来はしきい値電圧の制御が難しいとされていたが、強誘電体と組み合わせることで、その特性を逆手に取り、NANDストリングにおけるパス電圧の劇的な低減を実現する鍵となった。