SK hynix、現行製品の30倍の性能を持つ次世代HBMを開発中と明かす

2024年8月23日

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SK hynixが現行製品の30倍の性能を目指すという次世代HBMメモリの開発に乗り出した。この画期的な技術革新は、急速に成長するAI市場におけるHBMの重要性を反映したものと言える。

SK hynixの野心的な次世代HBM開発計画

SK hynixのRyu Seong-su副社長は、2024年8月19日にソウルで開催された「SK Icheon Forum 2024」において、同社の画期的な戦略を明らかにした。Ryu 副社長は次のように述べている。

「現行のHBMの20〜30倍の性能を持つ製品の開発を目指し、差別化された製品の導入に注力します」。

この発表は、HBM市場における競争が激化する中で行われた。SK hynixは、AppleやMicrosoft、Google Alphabet、Amazon、NVIDIA、Meta、Teslaなどの主要テクノロジー企業（いわゆる「Magnificent 7」）からカスタムHBMソリューションの要請を受けているという。

Ryu副社長は、これらの企業からの要求に応えるため、週末も休まず仕事に取り組んでいることを明かし、「M7企業とのコミュニケーションのために週末も休まず働きました。彼らの要求に応えるには社内で多くのエンジニアリングリソースが必要で、それを確保するために大きな努力をしています」と述べた。

新しいHBMの開発タイムラインは明確にされていないが、その野心的な性能目標を考えると、実現までにはまだ数世代かかる可能性が高い。現在、業界ではHBM3が使用されており、HBM3eが2024年末から2025年初頭に登場する予定だ。その後、HBM4が2025年後半に、HBM4eが2026年以降に導入される見込みである。

SK hynixは現在、顧客のニーズに応えるため、第6世代のHBM4（カスタムHBM）の準備を進めている。この開発は、ライバルのSamsung Electronicsも2025年後半の出荷を目指してHBM4の開発を進めているという競争環境の中で行われている。

Ryu副社長は、AIバブル論に対しても言及し、「GPUメーカーやその他の企業の収益性が期待を下回ったとしても、HBMのような高性能メモリは継続的に必要とされるでしょう」と主張した。さらに、「特定の企業に追随するのではなく、独自の（メモリ半導体の）仕様を作る必要があります」と述べ、SK hynixが業界をリードする姿勢を示した。

この野心的な計画は、AI技術の急速な進歩によって高性能メモリの需要が増大し続けているという背景がある。SK hynixの次世代HBMは、データセンターやAIアクセラレータなどの高度な計算環境において、処理速度と効率を大幅に向上させる可能性を秘めている。

業界専門家らは、SK hynixのこの動きが半導体市場に与える影響を注視している。30倍もの性能向上が実現すれば、AIやビッグデータ分析、科学計算などの分野に革命をもたらす可能性がある。しかし同時に、そのような高性能メモリの製造には技術的な課題も多く、実現までには相当な時間と投資が必要になると予想されている。

SK hynixの野心的な計画は、半導体業界における技術革新の速度を加速させ、競合他社にも同様の高性能製品の開発を促す可能性がある。これにより、HBM市場全体が活性化し、AI関連技術の更なる発展につながることが期待されている。

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