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SK hynixは世界初となる1c（第6世代10nmクラス）プロセスを用いた16Gb DDR5メモリの開発に成功したことを発表した。10nm範囲のDRAM技術の縮小プロセスを進める難易度は世代を重ねるごとに増しているが、SK hynixは業界で初めて技術的限界を克服し、設計の...

SK hynixが次世代高帯域メモリ(HBM)の開発を加速させている。同社は今年10月にHBM4メモリの「テープアウト」を完了させる計画だ。これは、NVIDIAの次世代AI向けチップに搭載されることを見据えた動きと見られる。HBM4は現行のHBM3Eの後継となる第6世代のHB...

SK hynixが現行製品の30倍の性能を目指すという次世代HBMメモリの開発に乗り出した。この画期的な技術革新は、急速に成長するAI市場におけるHBMの重要性を反映したものと言える。 SK hynixの野心的な次世代HBM開発計画 SK hynixのRyu Seong-su副社長は、20...

SK hynixが3D DRAM技術を用いてEUVリソグラフィのコストを半減できる可能性があることが明らかになった。SK hynixの研究者Seo Jae Wook氏が業界会議で発表したこの情報は、DRAM製造における大きな転換点となりそうだ。 EUVリソグラフィによるコスト上昇を...

DRAM価格の大幅上昇が始まった。SK hynixがDDR5メモリの価格を最大20%引き上げる方針を明らかにしたのだ。このことは、AI需要の急増によりHBM（High Bandwidth Memory）の生産にリソースが集中し、通常のDRAM供給が逼迫していることが背景にある。この動き...

現代のAI半導体を支えるNVIDIA、TSMC、SK hynixの「三角同盟」は、次世代高帯域幅メモリ（HBM）と先端GPUの開発を加速させるため、協力関係の強化を目指しているようだ。台湾で9月に開催される「SMICON Taiwan」において、三社が協業の強化について議論す...

韓国のメモリサプライヤーSK hynixは、AI開発により益々重要になるメモリ分野において、技術開発を加速させ、競争力を強化するために、今後3年間で103兆ウォン（12兆円）の投資を計画していることが明らかになった。この投資は、現在韓国で建設中の13兆円...

SK hynixはHBM（高帯域幅メモリ）市場で現在トップのシェアを誇るが、次世代のHBMでは演算および通信機能などを追加し、競合企業との差別化を図るべく開発を進めていることが明らかになった。 HBMへのシステム半導体の統合は全体のパフォーマンスと効率の...

SK hynixは、次世代のAI向け高帯域幅メモリー（HBM）の生産や、先進的なパッケージング技術によるロジックとHBMの統合に向け、TSMCとパートナーシップ協定を結んだことを明らかにした。SK hynixはこれにより、2026年から量産が予定されているHBMファミリー...

2024年4月3日に台湾で発生したマグニチュード7.2の地震は、この最先端半導体の製造拠点が数多く集まる地であるという特殊性によって、世界の半導体生産にどのような影響があるのかという懸念を巻き起こした。 元々が日本と同じ環太平洋火山帯に属する国と...