テクノロジー
Samsungなどメモリ3社、CXLコントローラー内製を縮小か 製品開発は継続
Samsungなどメモリー3社がCXLコントローラーの内製を縮小したと報じられた。製品開発は続き、制御チップの外部設計を取り入れる分業が進みつつある。
テクノロジーCXMT製DDR5は大手3社と比較して性能面で劣る？ASUSのオーバークロッカーはロット差を指摘
CXMT製DDR5の48GBキットがASUS環境で8600 MT/s動作を記録した。一次タイミングの実時間とロット差を検証し、量産品で確認すべき条件を読み解く。
テクノロジー265億ドル調達でAlibaba超えのSK hynix上場、消えないPER6倍未満の壁
SK hynixが2026年7月10日にNASDAQ上場し265億ドルを調達、外国企業史上最大のIPOとなった。だが予想PERは業界中央値を大きく下回ったままで、Korea discount解消の実証にはなお課題が残る。
テクノロジーSK hynixの大連第2工場、再始動計画が浮上 NAND月5万枚と2027年許可の壁
SK hynixが中国の大連第2工場への設備投資を再開する。2027年上期までの稼働を目指しており、韓国の新工場完成に先んじてNANDの供給能力を増強する狙いだ。ただし、計画の完遂には米国の輸出規制に伴う装置搬入の許可継続が不可欠である。
サイエンス最新GPUの10倍の電力効率：SK hynixとTetraMemが開発した次世代AIチップの全貌
AIの電力効率向上に向け、メモリ内で計算を行うイン・メモリ・コンピューティングが注目されている。米韓の研究チームは、軽量なAIモデルで多用される演算の非効率性を解消するため、配線をジグザグ状にした独自のメモリスタSoCを開発し、既存のGPUを凌駕する極めて高い電力効率を実証した。
テクノロジーHBM4Eで遠のくハイブリッドボンディング、16段化が次の分岐点
SamsungとSK hynixによるHBMへのハイブリッドボンディング採用は、規格緩和や既存技術の改良により2026年以降へ遅れる見通しだ。第7世代の16段HBM4Eが最短の候補だが、量産安定性を優先しTCボンディングの活用を継続する判断が強まっている。
テクノロジーHBMの8割を握る韓国が900兆ウォン投資に踏み切る：AI急需要とCXMT台頭の二重圧力
Samsung・SK hynixが韓国南西部に計900兆ウォン（約5,800億〜6,500億ドル相当）を投じる「第二の半導体ベルト」構想を発表した。HBMの世界供給の約8割を握りながら中国CXMTの台頭とAI需要急増に迫られる韓国の、国家的賭けの内実を解剖する。
テクノロジーDRAM価格高騰のために共謀したとしてSamsung・SK hynix・Micronが集団訴訟を起こされる：DRAM寡占90%の代償
Samsung・SK hynix・Micronの3社は世界DRAMシェアの約90%を握り、今回で3回目となる連邦集団訴訟の被告に立たされた。過去の刑事有罪前歴とAppleの同日値上げが示す市場支配力が、原告側の中心的な武器となる。
テクノロジーDRAMとNANDの高騰はいつ終わるのか？Micron、Samsung、SK hynixが示す2028年の条件
AI需要に伴うメモリー価格の高騰は、主要メーカーと大口顧客による供給枠の複数年契約やHBMの生産難化により、2027年以降も続く見通しだ。この供給不足はメーカーに巨額の利益をもたらす一方、消費者向け製品のコストを押し上げる要因となっている。
テクノロジーSK hynixがNasdaq上場へ、AIメモリ増産の資金調達を米国市場に広げる
SK hynixは、AIメモリの増産に向けた資金調達のため、米国ナスダック市場への上場を申請した。最大約1,779万株の新株を発行し、調達した資金は次世代HBMの生産能力拡大に不可欠な龍仁の新工場建設やEUV露光装置の取得などに充てる計画だ。
テクノロジーHBM市場の58%を握るSK hynixが12層HBM4Eサンプルを出荷：Samsungとの3週間差より重要な数字
SK hynixが12層HBM4Eサンプルを出荷開始。16Gbps/ピン・48GB容量・HBM4比で電力効率20%超向上を実現し、HBM市場58%を握る同社がNVIDIA Rubin Ultra向け認定レースの主導権維持を図る。Samsungとの量産タイムライン差が2027年のシェアを左右する。
テクノロジー韓国半導体輸出、重量減でも輸出額急増 DRAMは5月に370%増
韓国の半導体輸出は、AI向け高帯域幅メモリ等の高付加価値製品へのシフトにより、出荷重量が減少する一方で輸出額が過去最高圏に達する逆転現象が起きている。限られた生産能力を高単価品へ優先配分する構造が、韓国の貿易収支を強力に押し上げている。
