
メモリ電力30W未満で1.2TB/s:SK hynix が Vera Rubin の供給主導権を握った理由
NVIDIAのVera CPUはメモリ電力30W未満で1.2TB/sを出す。鍵を握るSK hynixは外付け部品の供給元からCPUの設計パートナーへと立ち位置を変え、HBM4でも最大供給元として先行する。

NVIDIAのVera CPUはメモリ電力30W未満で1.2TB/sを出す。鍵を握るSK hynixは外付け部品の供給元からCPUの設計パートナーへと立ち位置を変え、HBM4でも最大供給元として先行する。

AIチップの大型化に伴い、従来の有機基板に代わるガラス基板技術が注目されており、2027年頃の商用化が見込まれている。TSMCやインテル、韓国メーカー各社が開発を加速させており、コスト削減や熱対策、高密度接続を実現する次世代の量産基板として期待される。

AIデータセンターのGPUやAIアクセラレータは、高密度な電力消費による「熱」がボトルネックとなり性能が制限されている。これに対しSK hynixは、HBMパッケージ内部に直接冷却要素を埋め込む「iHBM」を発表し、熱源から直接冷却することで熱抵抗を30%削減、高負荷時でも安定した性能維持を可能にした。この技術は、次世代AIハードウェアの設計を根本から変える画期的なブレイクスルーである。

SK hynixは営業利益の10%をボーナスプールに充当する制度を導入し、2026年Q1だけで約25億ドルを従業員に分配し、韓国の労働市場に新たな基準を打ち立てた。一方、SamsungではHBM市場での出遅れ、社内報酬格差による部門間の分断、そして4万5,000人超の半導体部門労働者による18日間のストライキが重なり、DRAM市場シェアとHBM顧客の流出リスクが高まっている。

韓国の5月上旬輸出統計では、半導体が輸出全体の46.3%を占め、前年比149.8%増と記録的な伸びを示した。これはAIサーバー向けメモリ需要の急増によるもので、DRAM単価は前年比497.4%上昇するなど、その価格高騰は2027年以降も続く構造的な供給不足を示唆している。

Samsung、SK hynix、Micronの主要メモリメーカー3社が、AIデータセンターの需要に応える次世代メモリ規格DDR6の開発を本格化させた。DDR6は最大17.6 Gbpsのデータ転送速度を実現し、2028年から2029年の商用化を目指すが、超高速化に伴う信号整合性や電力効率の課題解決、CAMM2/SOCAMM2などの新規格導入が鍵となる。

Ubiquitiが一部製品に最大5.8%の「メモリサーチャージ」を導入し、AI需要によるDRAM高騰がネットワーク機器分野にも波及した。これは、コスト増を顧客へ転嫁する新たな動きであり、通信インフラや一般ユーザーの利用料にも影響を及ぼす可能性がある。

AIインフラ投資の加速によりDRAMやNAND Flashの価格が急騰し、PC用メモリの供給不足が2027年以降も長期化する見通しだ。新工場増設もAI向けHBM生産が優先されるため、一般消費者向けメモリの価格高騰と供給不足は続く。

AI半導体の性能向上を阻む「メモリウォール」打破のため、各社は広帯域メモリ(HBM)の開発に注力している。ASMLの2026年第1四半期決算では、メモリ向け装置の売上がロジック向けを上回り、半導体産業の主役がロジックからメモリへ交代する転換点を示した。 韓国メーカーがEUV装置の大量購入によりHBM生産能力を急拡大しており、AIインフラ投資の加速が最先端半導体製造装置の供給不足を深刻化させている。

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