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SamsungのSnapdragon X搭載Galaxy Book 4 Edgeが発表前にリーク
まもなく登場する、QualcommのSnapdragon Xチップを搭載したノートPCの一部が新たにリークされた。WinFutureによって明らかにされたのは、Samsungの次期「Galaxy Book4 Edge（Pro）」であり、どうやら3つのバリエーションが登場するようだ。 HDMIポートを... -
Samsung、Galaxy S25で採用予定のExynos 2500は第2世代3nm GAAプロセスで製造され、Snapdragon 8 Gen 4を上回る性能を示す可能性
Samsung独自のExynosチップはしばらく冬の時代を迎えた後、今年発売のGalaxy S24シリーズで搭載された「Exynos 2400」で評判を取り戻した。とは言え、それは前モデルに比べて優れていると言うものであり、Android向けAPでトップを走るQualcommのSnapdragon... -
Samsung、半導体ガラス基板の開発計画を加速、今年度中に試験生産ラインを立ち上げへ
Intelが昨年、業界初のガラス基板を発表した事を受け、この分野での競争がにわかに活気づいてきている。 ガラス基板の有用性は、微細化が進む半導体チップ開発の停滞を打破する物と見られており、この技術の早期の実用化が期待されている。Intelは2030年ま... -
SamsungはGalaxy S26でAMD GPUを捨て自社製GPUを搭載した「ドリームチップ」に移行する可能性
Samsungは、ここ数年自社設計の「Exynos」チップであまり良い評判を得られてこなかった。一時は同社のフラッグシップスマートフォンモデルに採用する事すらなくなり、Samsungは自社開発を諦めたのかと思われたが、最新のGalaxy S24モデルでは再びExynos 24... -
Samsung、初の3nmモバイルSoCをテープアウト、Synopsys.aiによって効率的な設計が可能に
Samsung ElectoronicsとSynopsysは、Gate-All-Around（GAA)トランジスタを採用した、3nmプロセス技術を用いて製造された初のモバイル・システムオンチップ（SoC）がテープアウトした事を発表した。 これは、SynopsysのEDAスイート「Synopsys.ai」を利用し... -
Samsung、2025年に2nm GAAチップの量産を計画、6月に詳細が明らかに
Samsung Foundryは、現在世界で唯一Gate All Around（GAA）FETによるチップ製造を行っているが、同社がこれを達成したのは2022年の事であり、2024年の現在、次世代のGAAに取り組んでいる事は間違いない。Business Koreaの新たな報道によれば、Samsungの次... -
Samsung、1Tb TLC第9世代V-NANDの量産を開始、2024年後半にはQLCも
Samsungは、第8世代V-NANDより50％ビット密度が向上し、33％の高速化を果たした第9世代V-NANDフラッシュ・ップの量産を開始すると発表した。 SamsungによればTLC NANDは今月中に生産が開始され、QLCの量産は今年後半になると予想されている。第9世代V-NAND... -
Samsung、シリコンバレーにRISC-VベースのAIチップ開発のため研究開発ラボを開設
少し前、Samsungが汎用人工知能（AGI）開発のためにシリコンバレーに研究開発拠点を設立した事が報じられたが、今回その動きに続く物として、同社の高等技術院（SAIT）がRISC-Vに基づくAIチップ設計に取り組むための研究所「Advanced Processor Lab(APL)」... -
SamsungとQualcommが5G通信速度の20％向上を実現、2024年末に商用化へ
Samsungは、5Gネットワーク通信のデータ転送速度について、Qualcommとの協業により、大幅な向上を実現したことを発表している。 Samsungのプレスリリースによると、3GPP Release 17における主要なアップデートとして、周波数分割複信（FDD）と時分割複信（... -
Samsung、AI向けに最適化された世界初10.7GbpsのLPDDR5X DRAMチップを発表
Samsungは、データ転送速度を最大10.7Gbpsまで引き上げた業界最速となる新たなLPDDR5X DRAMチップを発表した。 Samsungの新しいLPDDR5X DRAMチップは、Samsung 12nmクラスのプロセス技術を用いて製造されており、LPDDRの中で最小のチップサイズを実現して...