
テクノロジー
HBM4Eで遠のくハイブリッドボンディング、16段化が次の分岐点
SamsungとSK hynixによるHBMへのハイブリッドボンディング採用は、規格緩和や既存技術の改良により2026年以降へ遅れる見通しだ。第7世代の16段HBM4Eが最短の候補だが、量産安定性を優先しTCボンディングの活用を継続する判断が強まっている。
韓国を拠点とする半導体製造装置メーカー。特にHBM製造に欠かせないTCボンダー(熱圧着装置)において世界トップクラスの技術力を持ち、SK hynixへの供給を通じて急成長を遂げた。次世代技術であるハイブリッドボンダーの開発にも多額の投資を行っており、韓国国内における有力なプレーヤーの一人である。

SamsungとSK hynixによるHBMへのハイブリッドボンディング採用は、規格緩和や既存技術の改良により2026年以降へ遅れる見通しだ。第7世代の16段HBM4Eが最短の候補だが、量産安定性を優先しTCボンディングの活用を継続する判断が強まっている。

次世代メモリである高帯域幅フラッシュの商用化に向け、装置メーカーが製造に不可欠なTCボンダーの開発を加速させている。既存のHBM向け技術を転用しつつ、NAND特有の物性に対応した精密制御を実現できるかが、市場の主導権を握る鍵となる。

かつて世界を席巻した「家電の巨人」が、AI時代の最も熱い戦場に電撃参戦する。LG Electronicsが、次世代の高帯域幅メモリ(HBM)製造に不可欠とされる「ハイブリッドボンダー」の開発に本格着手したことが明らかにな […]