
SamsungがHBMをGPUの上に積む新概念「zHBM」を公開
SamsungがFMS 2026で発表したzHBMは、HBMをプロセッサの横から上へ移すことでデータ移動距離を物理的に短縮する新概念。HBM5の想定帯域約4 TB/sを基準に8倍を主張するが、比較対象のHBM5自体が仕様未確定であり、数値の検証は量産を待つ必要がある。
別名: Integrated HBM
iHBMは、SK hynixが2026年の実用化を目指して発表した革新的なメモリ冷却技術です。高帯域幅メモリ(HBM)のパッケージ内部、特に熱が集中するDie-to-Die Physical Layer(D2D PHY)周辺に、Integrated Cooling Elements(ICE)と呼ばれる特殊な冷却要素を直接埋め込むことで、熱抵抗を従来比で30%削減します。従来のパッケージ外部から冷却する手法とは異なり、熱源から直接熱を引き抜くことでサーマルスロットリングを抑制し、AIデータセンターなどの高負荷環境下でも安定したピーク性能の維持を可能にします。既存のMR-MUFプロセスやSiP構成との互換性を維持しており、次世代のHBM5規格以降での採用が見込まれています。

SamsungがFMS 2026で発表したzHBMは、HBMをプロセッサの横から上へ移すことでデータ移動距離を物理的に短縮する新概念。HBM5の想定帯域約4 TB/sを基準に8倍を主張するが、比較対象のHBM5自体が仕様未確定であり、数値の検証は量産を待つ必要がある。

SK hynixの2026年4〜6月期決算は、売上高と営業利益で過去最高を更新したが、汎用DRAMの急騰や製品構成の変化により市場予想には届かなかった。HBMの価格体系や出荷時期のずれが影響したものの、高い利益率と財務余力を背景に次世代製品への投資を加速させる方針だ。

SamsungとSK hynixによるHBMへのハイブリッドボンディング採用は、規格緩和や既存技術の改良により2026年以降へ遅れる見通しだ。第7世代の16段HBM4Eが最短の候補だが、量産安定性を優先しTCボンディングの活用を継続する判断が強まっている。

AIデータセンターのGPUやAIアクセラレータは、高密度な電力消費による「熱」がボトルネックとなり性能が制限されている。これに対しSK hynixは、HBMパッケージ内部に直接冷却要素を埋め込む「iHBM」を発表し、熱源から直接冷却することで熱抵抗を30%削減、高負荷時でも安定した性能維持を可能にした。この技術は、次世代AIハードウェアの設計を根本から変える画期的なブレイクスルーである。