窒化アルミニウム・スカンジウム

窒化アルミニウム（AlN）のアルミニウム原子の一部をスカンジウム（Sc）で置換した合金材料。優れた強誘電性を持ち、薄膜化してもその特性を維持できるため、次世代のメモリデバイスや高周波フィルタへの応用が期待されている。従来のシリコンベースの材料よりも極めて高い熱安定性を誇り、摂氏600度という過酷な環境下でも動作可能な不揮発性メモリの実現を可能にした。