サイエンス
ペロブスカイトレーザー、ついに「室温連続動作の壁」を突破か？次世代光コンピューティングの実現に向けた大きな一歩
電子の速度が物理的な限界に突き当たり、「ムーアの法則」の終焉が囁かれて久しい。AIやデータセンターが要求する計算能力が爆発的に増大する現代において、半導体業界は根本的なパラダイムシフトを迫られている。その答えは「光」にあ […]
Term
III-V族半導体
別名: III-V Compound Semiconductors
Overview
最終更新: 2026年7月9日インジウム、ガリウム、ヒ素、リンなどの元素から構成される半導体で、高い発光効率と電子移動度を持つ。現在の商用レーザーや高速通信デバイスの主流材料であるが、シリコンとは結晶構造が異なるため、シリコンウェハー上への直接形成が困難で製造コストが高いという課題がある。
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