サイエンス
磁力がないのに情報が読める? 東大らが予測した「反強磁性メモリ」の常識を覆すメカニズム
東京大学の共同研究チームは、非共線型反強磁性体Mn3Snと酸化マグネシウムを積層した磁気トンネル接合において、運動量空間に生じる「幻の磁極」を利用することで、最大1000%の巨大なトンネル磁気抵抗効果を理論的に証明した。これは、外部に磁場を漏らさない反強磁性体から磁気情報を読み出すという長年の課題を解決し、超高速かつ不揮発性の次世代メモリ実現への道を開く画期的な成果である。
別名: 磁気抵抗メモリ, Magnetoresistive RAM, MRAM, 磁気ランダムアクセスメモリ, 不揮発性磁気メモリ
電子のスピン状態を利用してデータを記録する次世代メモリ。電源を切ってもデータが消えない不揮発性、DRAM並みの高速書き換え、高い書き換え耐性を兼ね備える。今回の強磁性半導体の進展により、さらなる高性能化や、メモリと論理演算を融合した革新的なコンピューティングアーキテクチャへの応用が期待されている。
東京大学の共同研究チームは、非共線型反強磁性体Mn3Snと酸化マグネシウムを積層した磁気トンネル接合において、運動量空間に生じる「幻の磁極」を利用することで、最大1000%の巨大なトンネル磁気抵抗効果を理論的に証明した。これは、外部に磁場を漏らさない反強磁性体から磁気情報を読み出すという長年の課題を解決し、超高速かつ不揮発性の次世代メモリ実現への道を開く画期的な成果である。
人類は今、物質の最小単位である原子一つひとつを手なずけ、次世代の計算機「量子コンピューター」を創り出そうと果てしない探求を続けている。しかし、原子が持つ量子状態、とりわけ磁石の性質である「スピン」は、外界からのわずかな熱 […]
東京科学大学と東京大学の研究チームが、半導体技術の歴史に新たな一ページを刻んだ。室温(約300K)を遥かに超える530K(摂氏257度)という驚異的なキュリー温度を持つ強磁性半導体を開発。これは、長年「夢の技術」とされて […]