MRAM

電子のスピン状態を利用してデータを記録する次世代メモリ。電源を切ってもデータが消えない不揮発性、DRAM並みの高速書き換え、高い書き換え耐性を兼ね備える。今回の強磁性半導体の進展により、さらなる高性能化や、メモリと論理演算を融合した革新的なコンピューティングアーキテクチャへの応用が期待されている。