テクノロジー
エネルギー消費を1/10に抑える次世代強誘電体トランジスタ(FeFET)の開発に成功:世界最小1nmゲートがAIチップの限界を突破する
人工知能(AI)の進化が加速する現代において、計算能力の向上と消費電力の削減は、半導体業界が直面する最も切実な課題である。とりわけ、膨大なデータを処理するAIチップは、桁外れの電力を消費しており、そのエネルギー効率の改善 […]
別名: Coercive voltage
強誘電体材料において、内部の電気的な分極の向きを反転させるために印加しなければならない臨界電圧のこと。FeFETにおいてはデータの書き換え電圧に相当し、この値を論理回路の動作電圧(約0.7V以下)まで下げることが実用化の大きな課題であった。