テクノロジー
エネルギー消費を1/10に抑える次世代強誘電体トランジスタ（FeFET）の開発に成功：世界最小1nmゲートがAIチップの限界を突破する
人工知能（AI）の進化が加速する現代において、計算能力の向上と消費電力の削減は、半導体業界が直面する最も切実な課題である。とりわけ、膨大なデータを処理するAIチップは、桁外れの電力を消費しており、そのエネルギー効率の改善 […]
Term
MFMIS構造
別名: Metal-Ferroelectric-Metal-Insulator-Semiconductor
Overview
強誘電体ゲートを用いたトランジスタの構造の一種。フローティングゲート（中間の金属層）を設けることで、強誘電体層の分極分布を均一化し、デバイスの動作を安定させる効果がある。本研究では二次元材料の積層によってこれを実現した。
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