Samsung、NVIDIA向けHBM3/HBM3Eのテスト不合格報道を否定、厳格なテストを行っており問題なく動作すると主張

Samsungの高帯域幅メモリ（HBM: High Bandwidth Memory）の「HBM3」及び「HBM3E」が、過剰な発熱や消費電力の問題によりNVIDIAの品質テストで不合格になった事が先日報じられたが、Samsungは今回この報道に対する反対の声明を発表した。

NVIDIAのテストに合格したとは述べず

Business Koreaが報じた声明で、Samsungは「[当社は] HBM供給のためのテストを世界中のさまざまなパートナーと順調に実施している。製品の品質と信頼性を確保するため、複数の企業と緊密に協力し、技術と性能のテストを継続的に行っている」と述べている。

具体的にNVIDIAの社名を挙げてはいないが、先日のReutersの報道に対し、「Samsung Electronicsはすべての製品について、品質の向上と信頼性の強化に努めています。我々は、顧客に最高のソリューションを提供するために、HBM製品の品質と性能を厳しくテストしています」と述べ、最新のHBM製品（HBM3E製品のことだと思われる）が幅広いプロセッサーで問題なく動作すると述べている。ただし、NVIDIAについては特に言及していない。こうした詳細が欠けている事が、先日のような憶測を呼ぶことにも繋がったと見られる。

Samsungは最近、第五世代HBM製品であるHBM3Eデバイスの24GB（8-Hi）および36GB（12-Hi）容量の量産を開始したがNVIDIAへの供給量については依然不明であり、対するSK hynixは2024年3月よりHBM3EメモリチップをNVIDIA向けに供給開始している事が明らかになっており、既に2025年末までの生産量が埋まっていることが報じられている。こうしたこともあり、一部の市場アナリストは、Samsungが短期的に競合のSK hynixとの差を縮めることについて懐疑的な見方を続けている。

Source

• Business Korea: Samsung Denies Reuters Report on HBM Quality Issues, Asserts Rigorous Testing