DRAM+

FMCが開発する、DRAMの高速アクセス性能と電源オフ後もデータを保持する不揮発性を両立させた革新的なメモリ技術。従来のDRAMのキャパシタ部分を、酸化ハフニウム（HfO2）を用いた強誘電体キャパシタに置き換えることで、リフレッシュ動作を不要にし、待機時の消費電力を大幅に削減する。標準的なCMOSプロセスと互換性があり、ギガビット級の大容量化と微細化が可能な点が特徴である。