Term

超常磁性トンネル接合

別名: sMTJ, Superparamagnetic Tunnel Junction

Overview

最終更新: 2026年6月8日

スピントロニクス技術を応用した素子で、磁気抵抗メモリ(MRAM)で使用されるMTJの磁気安定性を意図的に下げたもの。室温の熱エネルギー(熱ノイズ)によって磁化の向きが数ナノ秒単位でランダムに入れ替わる特性を持ち、これを利用して「0」と「1」の間を確率的に揺れ動くPビットをハードウェアとして実装する。Pコンピューターの心臓部となるデバイスである。

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