Samsung未来技術育成の垂直ダイ研究、HBM4比でI/O 10倍・帯域4倍を提示
Samsungの未来技術育成事業に採択された垂直ダイ集積パッケージング研究が、既存HBMの構造制約を崩す候補として浮上している。Samsung Science & Technology Foundationの研究 […]
別名: Through-Silicon Via, TSV, シリコン貫通電極
Through-Silicon Via (TSV) is a high-performance interconnect technology used in 3D packaging and 3D integrated circuits. It involves creating vertical copper-filled holes through silicon dies to allow for shorter interconnects between stacked chips, such as in HBM. While efficient, TSV-based stacking faces challenges related to thermal resistance and manufacturing complexity as the number of layers increases.
Samsungの未来技術育成事業に採択された垂直ダイ集積パッケージング研究が、既存HBMの構造制約を崩す候補として浮上している。Samsung Science & Technology Foundationの研究 […]
2026年、生成AI市場の爆発的な拡大に伴い、半導体業界はかつてない「メモリ危機」に直面している。NVIDIAのGPUが市場を席巻する一方で、その演算能力を支えるデータ供給路、すなわちメモリ帯域と容量が、物理的な限界を迎 […]
世界の半導体産業における最大のボトルネックは、今や最先端の微細化プロセスではなく、チップ同士を繋ぎ合わせる「パッケージング」にある。 2026年1月13日、AIメモリ市場の覇権を握るSK hynixは、その強固な地盤を更 […]
Intelは、電子部品技術会議(ECTC)において、その先進的なチップパッケージング技術であるEMIB(Embedded Multi-die Interconnect Bridge)の重要なアップグレード版「EMIB-T […]
中国の半導体メーカーCXMTが、予定を2年前倒しして高性能メモリHBM2の量産を開始したようだ。これは、中国の半導体産業にとって大きな飛躍であり、技術的自立への道のりを加速させる可能性のある出来事だが、グローバル競争の中 […]
JEDECが第4世代高帯域幅メモリ(HBM4)の暫定仕様を発表し、次世代のAIと高性能コンピューティング向けメモリ技術の方向性が明確になった。HBM4は前世代のHBM3から大幅な性能向上を実現し、データ集約型アプリケーシ […]
SK hynixは、次世代のAI向け高帯域幅メモリー(HBM)の生産や、先進的なパッケージング技術によるロジックとHBMの統合に向け、TSMCとパートナーシップ協定を結んだことを明らかにした。SK hynixはこれにより […]