サイエンス
復旦大、1電子で0.5Vを生む非揮発メモリを実証。室温の弱信号を克服
復旦大学が、室温で1電子を0.5Vの非揮発性しきい値シフトとして読み出す二次元メモリ素子を実証した。電荷数の物理限界を大容量チップへつなぐには、アレイでの保持・耐久性検証が残る。
Company
復旦大学
別名: Fudan University, 復旦大学
Overview
最終更新: 2026年7月9日中国の上海に位置する国立総合大学。高分子科学系および先端材料研究所の研究チーム（Peng Huisheng教授ら）が、世界で初めて高性能なファイバー統合回路の開発に成功し、学術誌Natureに発表した。
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