1cプロセス

DRAMの製造において、回路線幅を10ナノメートル台に微細化したプロセスのうち、第6世代に相当する技術呼称。前世代の1b（第5世代）よりもさらに微細化が進んでおり、チップの集積度向上、消費電力の低減、およびデータ転送速度の高速化を実現する。HBM4などの次世代メモリ製品の性能を左右する重要な技術基盤であり、歩留まりの確保が量産化に向けた最大の課題となる。