Term

極紫外線露光装置

別名: EUV露光装置, Extreme Ultraviolet Lithography

Overview

波長13.5ナノメートルの極端紫外線(EUV)を使用して、シリコンウエハー上に極めて微細な回路パターンを形成する露光技術。7ナノメートル以下の先端半導体プロセスを実現するために必須の装置であり、オランダのASMLが独占的に供給している。極めて高い消費電力を必要とし、安定した電力供給が稼働の前提条件となる。

Mentioned Articles

9 件