シリコン窒化膜

半導体プロセスで一般的に使用される絶縁材料だが、光フォトニクスにおいてはシリコンよりも広いバンドギャップを持ち、非線形損失（二光子吸収）が少ないため、高出力な光や広帯域な光を扱う超低損失導波路の材料として重要視されている。