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GAAナノシート・トランジスタ

別名: GAA, Gate-All-Around

Overview

最終更新: 2026年7月9日

Gate-All-Around(GAA)は、従来のFinFET構造に代わる次世代のトランジスタ構造である。ゲートがチャネルの4面すべてを囲むことで、電流の制御性を高め、リーク電流を抑制しつつ、さらなる微細化と低電圧動作を可能にする。TSMCは2nm世代からこの構造を導入する。

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