テクノロジー
大手DRAMメーカー、DDR3・DDR4生産を相次いで終了か？2025年後半にも供給不足の可能性
主要DRAMメーカーがDDR3およびDDR4メモリの生産を2025年末までに終了する可能性がある。需要の低迷と中国メーカーとの価格競争激化が背景にあり、各社はDDR5とHBM（High Bandwidth Memory） […]
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テクノロジーNVIDIA、AI PC向けに独自の新メモリ規格「SOCAMM」を開発、Samsung・SK hynixらと協業
NVIDIAが、AI PCの普及を加速するため、新メモリ規格「SOCAMM」の開発を進めていることが明らかになった。Samsung、SK hynix、Micronといった主要メモリメーカーと協業し、小型ながら高性能なメモ […]
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テクノロジー中国CXMT製DDR5メモリチップ、Samsungと比べ40%大きいダイサイズで課題浮き彫りに
中国の新興メモリメーカーChangXin Memory Technologies（CXMT）が製造を開始したDDR5メモリチップについて、その物理的な特性が明らかになった。最新の分析によると、同社の16Gb DDR5チッ […]
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テクノロジーDRAM価格、2025年第1四半期に全面安の見通し ─ PC向けは最大13%の下落も
2025年第1四半期のDRAM市場が広範な価格下落に直面する見通しとなった。市場調査会社TrendForceの最新レポートによると、季節要因と消費者需要の低迷が重なり、PC、サーバー、モバイル、グラフィックスなど主要セグ […]
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テクノロジー中国CXMTがDDR5の歩留まり率80%を主張するも韓国業界専門家は強い懐疑的見解を示す
中国の主要DRAMメーカーChangxin Memory Technologies (CXMT)が主張するDDR5メモリの80%という歩留まり率について、韓国メディアと業界専門家が強い疑念を示している。この論争は、急速に […]
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テクノロジー中国CXMT、DRAM市場シェア15%へ急拡大か – 価格破壊の懸念も浮上
中国の半導体メーカーChangxin Memory Technologies（CXMT）が、グローバルDRAM市場で急速にシェアを拡大している。Silicon Motion Technologyの総経理Gou Jiazh […]
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サイエンスMITが光による革新的な磁化技術を開発 – 次世代メモリの実現へ前進
MITの物理学者チームが、光のみを用いて物質を磁化させる画期的な技術の開発に成功した。この成果は、より小型で高効率な次世代データストレージの実現に向けた重要な一歩となる可能性がある。『Nature』誌に2024年12月1 […]
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テクノロジー中国CXMTがDDR5メモリ生産に参入、韓国大手の牙城に挑む
中国の主要メモリメーカーChangXin Memory Technologies（CXMT）が、最新鋭のDDR5メモリの量産を開始したことが明らかになった。同社の技術力向上は、Samsung ElectronicsとSK […]
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サイエンス摂氏600度以上で動作可能な新型メモリを開発 – 金星探査にも道を開く革新的技術
ミシガン大学の研究チームは、600℃（1,112°F）以上の高温環境下でも安定して動作する革新的なメモリデバイスの開発に成功した。従来のシリコンベースの半導体メモリでは到達不可能だった温度域での動作を実現し、ジェットエン […]
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テクノロジーSK hynix、最先端3nmプロセスでHBM4を2025年後半から量産へ – NVIDIAとの協業を強化
SK hynixが第6世代高帯域幅メモリ(HBM4)の製造プロセスを、当初計画していた5nmから最先端の3nmへと変更することを決定した。2025年後半からNVIDIAへの供給を開始する計画で、半導体業界における技術革新 […]
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サイエンス消費電力を10億分の1に削減する新型メモリ素材が偶然見つかり夢のメモリの実現がまた一歩進む
データストレージ技術の革新につながる画期的な発見が報告された。ペンシルベニア大学工学部の研究グループは、インジウムセレン化物(In2Se3)を用いることで、次世代メモリ技術として期待される相変化メモリ(PCM)の消費電力 […]
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テクノロジーSamsung・SK hynix、次世代AI向けメモリLPDDR6-PIMの標準化で歴史的協業へ
業界を二分する半導体メモリの巨人、SamsungとSK hynixが、次世代AI処理用メモリ「LPDDR6-PIM」の標準化に向けて異例の協力体制を築くことを明らかにした。この協業は、急速に拡大するオンデバイスAI市場を […]