テクノロジー
Google、SamsungのHBM3E採用を中止 – NVIDIAの認証テスト不合格で危機深まるSamsungの半導体事業
Googleが自社開発のAIチップに搭載するHBM3E（High Bandwidth Memory 3E）メモリについて、これまで採用を検討していたとされるSamsung Electronics（以下、Samsung）を […]
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メモリ
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テクノロジーSamsung、DDR4メモリ生産を2025年末に終了へ – DDR5・HBMへシフト加速、市場への影響は？
Samsung Electronicsが、広く普及しているDDR4メモリモジュールの一部について、2025年末までに生産を終了する計画であることが台湾の工商時報によって報じられている。背景には、より新しいDDR5やAI向 […]
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テクノロジーADATA、業界初のSD Express 8.0カード発表―SSD並みの最大1,600MB/sという驚異的転送速度を実現
ADATAが業界初となるSD Express 8.0規格に準拠したメモリカード「Premier Extreme SD 8.0 Express」を発表した。PCIe Gen 3 x2インターフェースとNVMeプロトコルを採 […]
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サイエンス従来の1万倍の速度を実現した最速のフラッシュメモリが開発された
上海・復旦大学の研究チームが、わずか400ピコ秒でデータを書き込める、世界最速の不揮発性メモリ「PoX」を開発した。この画期的な成果は科学誌Natureに掲載され、長年AI（人工知能）ハードウェアの性能向上を阻んできたメ […]
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テクノロジーJEDEC、HBM4規格を正式発表：最大2TB/s帯域で次世代AI・HPCメモリの新時代へ
半導体メモリの標準化をリードするJEDEC Solid State Technology Associationは、待望の広帯域メモリ（HBM）の新規格「HBM4」を定めた「JESD270-4」を正式に発表した。この新規 […]
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テクノロジー次世代メモリ「DRAM+」が発表：DRAMの速さとフラッシュの持続性を兼ね備える
ドイツのメモリ技術企業Ferroelectric Memory Company（FMC）とNeumondaが、DRAM並みの速度と電源オフ後もデータを保持する不揮発性を兼ね備えた革新的メモリ「DRAM+」の開発で協業を発 […]
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テクノロジーSK hynix、IntelのNAND事業買収を完了 — 最終支払い19億ドル
SK hynixはIntelのNANDフラッシュメモリ事業買収の最終段階を完了し、合計約88.5億ドルの取引が決着した。この戦略的買収により、SK hynixは半導体市場での競争力を強化する一方、Intelは成長分野への […]
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テクノロジー2025年第2四半期のDRAM価格動向：下落緩和とHBM上昇へ
市場調査会社TrendForceの最新の分析によると、2025年第2四半期の従来型DRAM価格は0〜5%の小幅下落にとどまる一方、HBM（高帯域幅メモリ）を含めた平均価格は3〜8%上昇する見通しだ。 DRAM市場全体の価 […]
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テクノロジーSK hynix、世界初の12層HBM4メモリを出荷 – 36GB容量・2TB/秒を実現
SK hynixが世界に先駆けて12層HBM4メモリのサンプルを主要顧客に向けて出荷した。現在サンノゼで開催中のGTC 2025でも開発モデルを展示中だ。この次世代AI向け超高性能DRAMは最大36GB容量と2TB/秒超 […]
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サイエンス計算機の「時間と空間」の常識を覆す新理論が登場 ―― 50年来の定説を覆すメモリ効率化技術
計算機科学における長年の課題であった「時間と空間」の関係に、新たな知見がもたらされた。MITの研究者が発表した新たな論文は、特定の計算において、従来考えられていたよりもはるかに少ないメモリで実行できる可能性を示唆している […]
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テクノロジーMicron、初のEUV製造技術採用となる1γ DDR5-9200メモリ出荷開始
Micronは、同社初となるEUV（Extreme Ultra Violet：極端紫外線）リソグラフィ技術を採用した第6世代10nmクラス「1γ（1-gamma）」製造プロセスによる16Gb DDR5メモリの出荷を開始し […]
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テクノロジーKIOXIAとSanDisk、次世代の332層3D NANDフラッシュメモリ技術を発表：33%の高速化と省電力化を実現
KIOXIAとSanDiskは、共同開発した第10世代3D NANDフラッシュメモリ技術を発表した。この新技術は、インターフェース速度、ビット密度、電力効率を大幅に向上させ、AI時代におけるデータストレージの進化を牽引す […]