
サイエンス
「電子の渋滞」をゼロにする新構造——KAISTが2次元素材で半導体の接触抵抗を無効化
韓国の研究チームは、単一の二セレン化白金薄膜内に半金属と半導体の領域を連続して形成し、金属電極との接合部で生じる接触抵抗を解消する技術を開発した。原子レベルの観察で電子の渋滞がないことを証明しており、次世代チップの低消費電力化に貢献する。
別名: NSEU, National Samsung Electronics Union
Samsung Electronicsの全従業員の約38パーセントにあたる4万8,000人以上の組合員を擁する、同社最大の労働組合。2024年に同社史上初となる大規模なストライキを計画し、パフォーマンスに応じたボーナス支給基準の透明化や上限撤廃を求めて経営陣と対立した。長年「無労組経営」を掲げてきた同社の企業文化において、労働者の権利主張と組織力の拡大を象徴する存在となっている。

韓国の研究チームは、単一の二セレン化白金薄膜内に半金属と半導体の領域を連続して形成し、金属電極との接合部で生じる接触抵抗を解消する技術を開発した。原子レベルの観察で電子の渋滞がないことを証明しており、次世代チップの低消費電力化に貢献する。

Samsung Electronicsの労働組合は、競合とのボーナス格差を背景に計画していた大規模ストライキを、政府の介入による労使間の暫定合意で回避した。これにより、AIデータセンター構築に不可欠なHBMやDRAMの供給に対する市場の深刻な懸念は一時的に後退し、グローバルな半導体サプライチェーンへの影響は免れた。